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IGZOを基礎から学ぶ

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IGZO

IGZOを基礎から学ぶ

~東工大 細野・神谷研が解説する透明酸化物半導体~

事前申込は終了しました
※当日受付を承ります。直接会場にお越しください。

 2012年、「IGZO」は新聞紙面をにぎわせるキーワードになった。シャープがタブレット端末やスマートフォンに向けて業界に先駆けて量産化した高精細ディスプレイの中核技術だからだ。同社はこの技術を復活への足掛かりにしようとしている。

 IGZOは、インジウム(In)、ガリウム(Ga)、亜鉛(Zn)、酸素(O)から成る透明酸化物半導体In-Ga-Zn-Oの略称である。液晶パネル用TFTの既存材料であるアモルファスSiに比べてキャリア移動度が高く、高精細のパネルを低電力で駆動できる。

 IGZOは液晶パネルにとどまらず、有機ELパネルや電子ペーパー、太陽電池、透明でフレキシブルな集積回路などへの応用可能性を秘める。そのため、シャープだけではなく、韓国Samsung Electronics社や韓国LG Electronics社といった海外の有力メーカーが競って開発を加速させている。

 IGZOをはじめとする透明酸化物半導体のデバイス応用に関する研究を牽引してきたのが、東京工業大学教授の細野秀雄氏と神谷利夫氏の研究グループだ。2004年にIGZOで高性能のTFTを実現したことにより,この材料に対する産業界の注目度は一挙に高まった。同グループはその後も、透明酸化物半導体の研究で先駆的な成果を次々と挙げている。

 本アカデミーでは,細野・神谷両氏が登壇し、透明酸化物半導体の基礎から応用までを語り尽くす。

概要

日時:2012年12月14日(金) 10:00~16:00 (開場09:30)予定
会場:化学会館 7F (東京・お茶の水)
主催:日経エレクトロニクス

受講料(税込み)

  • 一般価格49,800円
  • 日経エレクトロニクス(NE)読者価格39,800円
  • ◇一般価格には「日経エレクトロニクスDigital版セット購読(最新号1冊+1年26冊)」が含まれます。 ご送本開始は開催後になります。
  • ◇日経エレクトロニクス(雑誌、Digital版、Digital版セット)定期購読者の皆様は、NE読者価格でお申し込みいただけます。
  • 日経エレクトロニクスPremium定期購読者の皆様は、Premium読者価格(一般価格の50%割引)で受講いただけます。
  • ※受講料には、昼食は含まれておりません。
  • ※一般価格に含む日経エレクトロニクス購読をご登録させていただく方には、NEニュース配信を設定いたします。
  • ※満席になり次第、申込受付を締め切らせていただきますので、お早めにお申し込みください。

プログラム詳細

10:00~11:00

透明酸化物半導体の魅力と基礎物性

東京工業大学

フロンティア研究センター&応用セラミックス研究所 教授

細野 秀雄 氏

IGZOをはじめとする透明酸化物半導体がエレクトロニクスにもたらすインパクトや、デバイス材料としての魅力、基礎物性を解説します。
▼透明酸化物半導体がエレクトロニクスにもたらすインパクト
▼デバイス材料としての魅力とポテンシャル
▼透明酸化物半導体の基礎物性

11:15~12:00

細野 秀雄 氏

Q&Aセッション
▼講義内容に関する聴講者からの質問に、細野氏が答えます。

12:00~13:00 昼休憩
13:00~13:50

透明酸化物半導体のデバイス応用 その1

東京工業大学

応用セラミックス研究所 教授

神谷 利夫 氏

透明酸化物半導体の電子デバイスへの応用について、細野・神谷研究室における研究成果や世界の研究動向を解説します。
▼透明酸化物半導体のデバイス応用の研究動向
▼ディスプレイへの応用

14:00~14:50

透明酸化物半導体のデバイス応用 その2

神谷 利夫 氏

透明酸化物半導体の電子デバイスへの応用について、細野・神谷研究室における研究成果や世界の研究動向を解説します。
▼ディスプレイ以外の電子デバイスへの応用
▼応用研究の今後の展望

15:10~16:00

神谷 利夫 氏

Q&Aセッション
▼講義内容に関する聴講者からの質問に、神谷氏が答えます。

  • ※途中、昼休憩と午後の小休憩が入ります。
  • ※講演時刻等、随時更新いたします。また、プログラムは変更になる場合があります。あらかじめご了承願います。
事前申込は終了しました
※当日受付を承ります。直接会場にお越しください。

講師紹介

細野 秀雄 氏

細野 秀雄 氏 東京工業大学 フロンティア研究センター&応用セラミックス研究所 教授

1977年 東京都立大 工学部卒業。1982年 同学大学院 工学研究科博士課程修了(工学博士)。名古屋工業大学 工学部助手、同助教授、東京工業大学 助教授、分子科学研究所 助教授を経て、1999年 東工大 応用セラミックス研究所 教授。2004年10月より現職。この間、JST-ERATO「細野透明電子活性プロジェクト」、文科省COE21 東工大「産業化を目指したナノ材料開拓と人材育成」、JST ERATO-SORST「機能性酸化物プロジェクト」のリーダを歴任。現在、JSPS FIRST プロジェクト中心研究者。日本学術会議会員。

専門: 無機材料科学(特に新コンセプトによる機能材料の探索)。
表彰: 化学会学術賞、応用物理学会業績賞、文部科学大臣表彰、服部報公賞、井上学術賞、本多フロンティア賞、ナイスな研究者2008、藤原賞、紫綬褒章、 Otto-Schott Research Award、 W.H.Zachariasen Award、 SID Jan Raychman Prize、 Bernd T.Matthias Prizeなどを受賞。

著書:「透明金属が拓く驚異の世界」 ソフトバンククリエイティブ (2006)
「好きなことにバカになる」 サンマーク出版(2010) ほか

神谷 利夫 氏

神谷 利夫 氏 東京工業大学 応用セラミックス研究所 教授

1991年3月 東京工業大学 大学院修士課程中退、同年4月 東京工業大学 工学部無機材料工学科 助手(酸化物強誘電体の計算機シミュレーションと物性解析)、1996年11月 同大学院 総合理工学研究科電子化学専攻 助手、1996年12月 博士(工学)取得(同工学部無機材料工学科)、1997年4月 同応用セラミックス研究所 附属構造デザイン研究センター 助手(薄膜シリコン成長技術とデバイス開発)、2002年1月 同応用セラミックス研究所 セラミックス機能部門 講師、2003年12月 同助教授(酸化物新機能材料と半導体デバイス開発)、2010年8月 同教授、現在に至る。うち、2000年4月~2002年2月 英国ケンブリッジ大学 キャベンディッシュ研究所マイクロエレクトロニクス研究センター 客員研究員。

専門: 半導体工学、材料科学、計算材料学
表彰: JJAP論文賞(2009)、科学技術分野の文部科学大臣表彰 若手科学者賞(2007)、薄膜材料デバイス研究会 ベストペーパーアワード(2005)、独創性を拓く先端技術大賞 企業・産学部門 特別賞(2005)、DV-Xα研究会 研究奨励賞(1998)

著書:Handbook of Zinc Oxide and Related Materials, Taylor & Francis (2012).
「薄膜トランジスタ」 コロナ社(2008)
「透明金属が拓く脅威の世界 不可能に挑むナノテクノロジーの錬金術」 ソフトバンククリエイティブ(2006)
「透明導電膜の技術」 オーム社(2006)
「単一電子デバイス」 実験化学講座 第5版 28巻 ナノテクノロジーの化学、丸善(2005)
「Hartree-Fock-Slater Method for Materials Science -The DV-XαMethod for Design and Characterization of Materials」 Springer(2005)    ほか

■E-mailアドレス:
お申し込みにはE-mailアドレス(携帯電話不可)が必要です。
■受講料のお支払い:
お申し込みにはE-mailアドレス(携帯電話不可)が必要です。
なお、振込手数料はお客様のご負担になりますので、あらかじめご了承ください。
■お申し込み後のキャンセルおよび欠席:
お申し込み後のキャンセル、ご送金後の返金はお受けいたしかねます。代理の方が出席くださいますようお願いいたします。
■最少開催人員:
20名。参加申込人数が最少開催人員に達しない場合は、開催を中止させていただくことがあります。

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