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すべての機器にTSV

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日経エレクトロニクス

すべての機器にTSV

縦積みチップで価値を生む

spreading application of Through-Silicon-Via (TSV)

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シリコン・チップに多数の貫通穴を開けて配線材料で満たす、いわゆるTSV(through silicon via)技術の実用化が本格的に始まります。

スマートフォン、デジタル・カメラ、サーバー機、ネットワーク装置などの論理LSIやDRAM、アナログ・デジタル混在LSI、CMOSセンサへの量産適用から始まり、ゆくゆくは高性能マイクロプロセサとキャッシュの3次元接続や、NANDフラッシュ・メモリへの適用も進みます。そう遠くない将来、入力、演算、記憶という、電子機器の主要機能をTSVが担うことになります。

TSVの導入が急速に進む背景には、半導体の高速化や低消費電力化、高集積化の中核的な実現技術と位置付けられていることがあります。これまで半導体の進化を牽引してきた微細化の神通力が薄れつつある中、その微細化と組み合わせる、あるいは微細化に代わる手段として、TSVに期待が集まっています。

TSVのコンセプトは2000年代初頭から提唱されていましたが、これまではキラー・アプリケーションが不在だったため、なかなか産業として立ち上がりませんでした。ここにきて、莫大な数量が見込めるスマートフォンへの搭載が本格的に検討され始めるなど、明らかに流れが変わりました。現時点では高コストという課題がありますが、半導体メーカーは、市場の立ち上がりに備え、TSVのコスト削減をはじめとする技術開発に積極的に取り組んでいます。

本セミナーでは、TSV技術の開発や実用化で先行するメーカーによる解説を中心にプログラム構成し、TSV技術の最新動向を一日で把握できるようにしました。TSVベースの半導体はいつごろ、どのような機器に採用できるのか、そして普及に向けた課題は何か、などを探ります。TSVの採用を検討する機器メーカー、TSV技術の実用化を急ぐ半導体メーカー、TSV関連の製造装置や材料、ツールなどの市場投入を模索する製造装置・材料メーカー、EDAツール・ベンダーなど、TSVに関わるあらゆるビジネスパーソンに必聴の内容です。

概要

日時:2012年06月01日(金) 10:00~18:00 (開場09:30) 予定
会場:JA共済ビル カンファレンスホール(東京・永田町)
主催:日経エレクトロニクス

テキスト代(税込み)

  • 4,200円

  • ※ 当日配布したテキストを特別頒布します。

    ※ 在庫冊数に限りがありますので、お早めにお申し込みください。

    ※ テキスト冊子は、A4横サイズ1ページに4コマ掲載のモノクロ両面印刷です。

    ※ この商品の返品はお受けできません。

プログラム詳細

10:00~11:05

3D ICの進化: ムーアの法則を越えて業界最大容量のFPGAを実現

資料29枚

Xilinx

Sr. Director, Silicon Technology, FDST/PPG

Dr. Xin Wu

FPGAとして業界最大容量の28nm世代の3Dデバイスを、Xilinx社のチップ統合技術「Stacked Silicon Interconnect(SSI)」によって、いかに実現したか。TSVベースの大規模論理LSIの量産で世界に先駆けたXilinx社が、3D ICの進化の方向性を明らかにする。要素技術の解説や適用アプリケーション、消費電力面でのメリットなどにも触れる。さらに、3Dの標準化に関する業界への提案なども行う。

11:05~11:55

ルネサスの携帯機器向けLSI ~3次元実装技術の取組み~

資料37枚

ルネサス エレクトロニクス

SoC事業本部 製品設計統括部 副統括部長

田中 英樹 氏

従来の携帯電話機を急速なペースで代替しているスマートフォンでは、画面解像度の高精細化やアプリケーション・ソフトウエアの大容量化に伴い、CPUやGPUに求められる処理能力が大幅に向上している。ワーク・エリアとなるDRAMの最大データ転送速度は、2014年には12.8Gバイト/秒を超える勢いである。高性能・低消費電力・低背を実現するために、プロセサとDRAMの3次元LSI技術の導入が必須になる。本講演では、ルネサスの3次元LSI技術の取り組みについて紹介する。

11:55~12:35

3次元LSIの普及に向けた課題と解決策

資料27枚

インターコネクション・テクノロジーズ

代表取締役

宇都宮 久修 氏

スマートフォンやタブレット端末の急速な普及により、データ通信と信号処理に関する性能要求が高まり、マイクロプロセサとメモリ間のデータ・バス幅の拡大や配線距離の短縮に向けた3次元化が模索されている。一般的なSiインターポーザは既存の半導体製造設備や材料が適用できることから、微細配線による解決策が提供可能と考えられていたが、TSVの構造面・コスト面での問題から、デジタル民生機器への適用は容易ではない。他方、有機樹脂基板では、半導体のスケーリングに対応した微細配線を形成できない。新たな解決策としての期待がかかるガラス・インターポーザは、世界のトップクラスの半導体メーカーから注目を集め、開発競争に拍車がかかっている。本講演では、Si、有機樹脂およびガラスの利点・欠点を明らかにし、3次元LSIパッケージとしての課題と解決策を説明する。

昼休憩
13:25~14:10

Hybrid Memory Cubeのインパクト

資料25枚

マイクロンジャパン

DRAMソリューショングループ 技術部長

朝倉 善智 氏

DRAM技術はこれまで数十年に渡り、マイクロプロセサベース・システムの主記憶として使われてきた。マイクロプロセサの性能向上に伴い、DRAM性能の向上ペースとプロセサからの性能要求ペースとのギャップが拡大してきている。講演では、Micron社のHybrid Memory Cube(HMC)技術によってもたらされる、さまざまなメリットなどを解説する。HMCは3次元構造を採用し、ロジック・チップの上に複数個のDRAMチップを垂直方向に積み上げ、それらの配線はTSVで接続する。HMCのコンセプトは、DRAMサブシステムを抜本的に再定義し、DRAMの性能にブレークスルーをもたらす。スケーラブルなシステム・アーキテクチャを採り、従来のメモリ・システムに比べてエネルギー効率にも優れる。

14:10~15:15

3次元積層技術を利用してシステムを改革

資料42枚

Intel

Principal Engineer, Circuit Research Lab

Bryan Casper 氏

休憩
15:25~16:15

2.5D、3Dの業界動向とその要素技術

資料42枚

日本アイ・ビー・エム

東京基礎研究所 サイエンス&テクノロジー エレクトロニック&オプティカル・パッケージング 部長 シニア・テクニカル・スタッフ・メンバー

折井 靖光 氏

16:15~16:55

TSVベースLSIの製造を容易に、極薄ウエハー搬送に向けた理想の仮接合・剥離技術とは

資料30枚

イーヴィ グループ ジャパン

テクノロジー本部 アプリケーションエンジニア

川野 連也 氏

TSV製造のキーテクノロジーの一つとされるのが、極薄ウエハーをハンドリングする際の仮接合である。研削やTSV形成の工程では、Si などの支持基板をデバイス・ウエハーに接着剤で接合し、ダイシング前には剥離する作業だ。この仮接合では、 製造工程中での接着の強さと、デバイスを損傷させずに剥離することが、同時に求められる難度の高い技術である。この両立にメドを付けたイーヴィグループが、仮接合技術のポイントと今後の方向性などを解説する。

16:55~18:00

STの3次元LSI推進戦略 ~アナログ、プロセサからNoCまで~
ST strategy on 3D integration LSI - from Analog, Processors to NoC -

資料30枚

STMicroelectronics

3D Interconnect Technology Line Manager, Front-End Manufacturing & Process R&D, Digital Sector

Dr. Yves DODO

STMicroelectronics社は、非常に早い段階から3次元LSI技術の開発を推進してきた。CMOSイメージ・センサの実装面積の縮小に向けたTSV導入に始まり、ワイヤ・ボンディングの伝送損失の最小化、開発期間短縮に向けたデジタルとアナログの分割、Wide IOを利用したプロセサ・メモリ間のデータ転送速度の向上などをターゲットに開発を進めている。本講演では、異なるデバイスを統合することで、製品の小型化や性能向上を実現し、また開発期間の短縮をも可能にする、STの3次元LSI推進戦略を紹介する。

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