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メモリ

不揮発性メモリを使いこなす

~SSDからストレージ・クラス・メモリまで~

事前申込は終了しました
※当日受付を承ります。直接会場にお越しください。

NANDフラッシュ・メモリを利用した新世代ストレージ装置のSSD(solid state drive)は、ノート・パソコンやデジタル・カメラ、カーナビなどに搭載されており、今後もサーバーや産業機器、据置型の各種デジタル民生機器などに利用される見込みです。2.5インチHDDの代替は本格的に始まっており、今後は3.5インチHDDの一部代替が進む方向にあります。加えて、数年以内には、DRAMとNANDフラッシュ・メモリの性能差を埋めることを狙った「ストレージ・クラス・メモリ」の市場投入が始まります。

SSDは、NANDフラッシュ・メモリとコントローラLSI、バッファ・メモリ用途のDRAMなどから構成されています。SSDの信頼性や性能は、NANDフラッシュ・メモリの信頼性・性能だけでなく、コントローラLSIのアルゴリズムやバッファ・メモリ容量など、多くのシステム要件によって大きく左右されます。このため、電子機器の設計者がSSDを使いこなすためには、NANDフラッシュ・メモリの動作原理や、コントローラLSIの特性など、習熟しなければならない項目は少なくありません。

NANDフラッシュ・メモリのデバイス技術や回路技術を踏まえつつ、コントローラLSIやOS、制御アルゴリズム、電源などを含めたSSD全体の開発技術について、現状と今後の課題、開発の指針を解説します。加えて、ストレージ・クラス・メモリについても、現状と今後の展開について述べます。

概要

日時:2012年05月15日(火) 10:00~16:00 (開場09:30) 予定
会場:化学会館 7F(東京・お茶の水)
主催:日経エレクトロニクス

受講料(税込み)

  • 一般価格48,800円
  • 日経エレクトロニクス(NE)読者価格39,800円

「半導体ストレージ2012」

★書籍「半導体ストレージ2012」 と、あわせてお申し込みもいただけます。

※書籍は、当日、受付時にお渡しします。

  • セミナー一般価格+書籍77,600円
  • セミナー(NE)読者価格+書籍68,600円
  • ◇一般価格には「日経エレクトロニクス購読(最新号1冊+1年26冊)」が含まれます。 ご送本開始は開催後になります。
  • ◇日経エレクトロニクス定期購読者の皆様は、NE読者価格でお申し込みいただけます。
  • 日経エレクトロニクスPremium定期購読者の皆様は、Premium読者価格(一般価格の50%割引)で受講いただけます。
  • ※受講料には、昼食は含まれておりません。
  • ※一般価格に含む日経エレクトロニクス購読をご登録させていただく方には、NEニュース配信と、読者限定サービスのアクセス権を設定いたします。
  • ※満席になり次第、申込受付を締め切らせていただきますので、お早めにお申し込みください。

プログラム詳細

講師

中央大学

理工学部 電気電子情報通信工学科 教授

竹内 健 氏

10:00~16:00

SSDが変えるメモリ・システム

 NANDフラッシュ・メモリの技術動向(微細化、多値化)
 SSDの技術動向(3次元積層、SSDの電源システム、磁界結合インタフェース)
 メモリ・システムの変化
 SSDの市場

NANDフラッシュ・メモリの基礎

 メモリ構造と動作原理
 MLC(multi-level cell)とSLC(single-level cell)

NANDフラッシュ・メモリの回路設計

 ランダム・アクセスとシーケンシャル・アクセス
 書き込み/読み出しの高速化
 並列動作とパイプライン動作

SSDの基礎

 ソフトウエア・アーキテクチャとハードウエア・アーキテクチャ
 SSDの性能
 ガベージ・コレクションとスロー・ランダム・ライト
 キャッシュ・ページ・コピー
 オール・ビット線アーキテクチャ
 不揮発性RAMを搭載したSSD
 SSDの消費電力
 SSDの信頼性(書き込み/読み出し不良、書き換え可能回数、データ保持期間)
 信頼性を高める技術(ウエア・レベリング、ECCなど)

SSD用のOS

 デフラグメンテーション処理の扱い
 トリム・コマンド
 MLC/SLCハイブリッドSSD
 性能の最適化

今後のメモリ技術

 NANDフラッシュ・メモリの技術的課題
 微細化の限界
 3D-NAND
 3Dクロスポイント・セル(PCRAM、MRAM、RRAM)
 2Dメモリ(エアギャップNAND、チャージ・トラップNAND、Fe-NAND)

今後のSSD技術

 NANDとコントローラ回路の協調設計
 従来の3D-SSDとその問題点
 新しい3D-SSD
 ワイヤレス・インタフェース
 ディペンダブルSSD

  • ※途中、昼休憩と午後の小休憩が入ります。
  • ※講演時刻等、随時更新いたします。また、プログラムは変更になる場合があります。あらかじめご了承願います。
事前申込は終了しました
※当日受付を承ります。直接会場にお越しください。

講師紹介

竹内 健 氏

竹内 健 氏 中央大学 理工学部 電気電子情報通信工学科 教授

1991年、東京大学 工学部物理工学科卒業。1993年、同大学院 工学系研究科 物理工学専攻 修士課程修了。同年、東芝 研究開発センター USLI研究所 研究員。NANDフラッシュ・メモリの研究開発に従事。東芝在籍の15年間に世界初の64M、256M、512M、1G、2G、16GビットNANDフラッシュ・メモリの商品化に成功。マーケティング、プロジェクトマネージメント、企業間交渉や米国法廷での訴訟など、フラッシュ・メモリのビジネス広範に携わる。2003年、米スタンフォード大学 ビジネススクール 経営学 修士課程修了(MBA)。2006年、東京大学大学院 工学系研究科 電子工学専攻 博士取得。2007年、同大学大学院 新領域創成科学研究科 基盤情報学専攻(兼)工学部 電子工学科 准教授。2008年、同大学大学院 工学系研究科 電気系工学専攻(兼)工学部 電気電子工学科 准教授。2012年4月から現職。
強誘電体材料や相変化材料、金属酸化物を用いた新メモリデバイスや、3次元LSI回路、極低電力SRAM、ディペンダブルSSDメモリシステム、新メモリを使ったメモリアーキテクチャや信号処理技術などの研究に従事。
登録特許は、米国特許102件を含む世界で200件。ISSCC 2007にてTakuo Sugano Awardを受賞。ISSCC、ASSCCプログラム委員。

■受講料のお支払い:
後日、受講券・ご請求書を郵送いたします。ご入金は銀行振込でお願いいたします。
なお、振込手数料はお客様のご負担になりますので、あらかじめご了承ください。
■お申し込み後のキャンセルおよび欠席:
お申し込み後のキャンセル、ご送金後の返金はお受けいたしかねます。代理の方が出席くださいますようお願いいたします。
■最少開催人員:
20名。参加申込人数が最少開催人員に達しない場合は、開催を中止させていただくことがあります。

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