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実装

高密度実装はもういらない!?
実装技術の付加価値を奪うSiP/TSV

事前申込は終了しました
※当日受付を承ります。直接会場にお越しください。

スマートフォンやタブレット端末などの携帯機器を分解して目に付くのは、スペースの主役をバッテリーに奪われて、隅に押しやられた電子回路の姿です。このような実装のトレンドを支えるのは、微細化(スケーリング)によって大規模回路を一つのチップに収めたLSIと、異種デバイスをパッケージ内で組み合わせて高密度にシステム化した半導体デバイスです。

特に近年では、半導体チップの微細化に限界が近付いていることから、パッケージ技術によるシステム集積化の重要性があらためて注目されています。一つのパッケージに複数のチップを収納するSiP(system in package)や、パッケージ同士を積層するPoP(package on package)、TSV(Si貫通ビア)による3次元集積化など、多くの技術が開発・利用されています。

こうしたSiPやTSVをはじめとする、最新の半導体パッケージ技術がどこまで進展しているのか、今後どのような方向に進化するのかを、基礎から紐解いていきます。システム集積化を進める上でカギを握るチップ間の接続技術や、TSVの最新技術動向、3次元実装と2次元実装の違いなどについても詳しく解説します。

また、急速な勢いで電子化が進む自動車分野における応用事例や、優れた耐熱性と低コスト性を併せ持つCuワイヤ・ボンディング技術についても紹介します。


概要

  • 日時:2012年6月29日(金) 10:00~17:00 (開場9:30予定)
  • 会場:化学会館(東京・お茶の水)
  • 主催:日経エレクトロニクス

受講料(税込み)

  • 一般価格:48,800円
  • 日経エレクトロニクス(NE)読者価格:39,800円

◇一般価格には「日経エレクトロニクス購読(最新号1冊+1年26冊)」が含まれます。 ご送本開始は開催後になります。
◇日経エレクトロニクス定期購読者の皆様は、NE読者価格でお申し込みいただけます。
日経エレクトロニクスPremium定期購読者の皆様は、Premium読者価格(一般価格の50%割引)で受講いただけます。

※受講料には、昼食は含まれておりません。
※一般価格に含む日経エレクトロニクス購読をご登録させていただく方には、NEニュース配信と、読者限定サービスのアクセス権を設定いたします。
※満席になり次第、申込受付を締め切らせていただきますので、お早めにお申し込みください。

プログラム詳細

講師

ルネサス エレクトロニクス
生産本部 実装・テスト技術統括部 技術企画部 シニアエキスパート
中島 宏文 氏

10:00~17:00

1. イントロダクション

携帯電話機用に複数のメモリが同一パッケージに内蔵されて始まったMCPが、CMOSロジックとのインテグレーションに進化してきた過程を概観します。初期段階のMCPからPoP、TSVにいたるパッケージ構造の変遷とその技術開発について解説します。
 ・MCP
 ・チップ積層SiP
 ・チップ隣接実装SiP
 ・PoP
 ・TSV

2. SiPの最大の特徴 ~チップ間接続~

SiPは、パッケージ内でチップ同士を接続する構造が大きな特徴になっています。しかも、採用する接続方法によって、高速電気信号への対応能力が決まります。ここでは、ワイヤ・ボンディング、チップ・オン・チップ(CoC)、ワイヤレス、TSV接続、直接配線について解説します。
 ・ワイヤ・ボンディング
 ・CoC
 ・ワイヤレス
 ・TSV接続
 ・直接配線

3. TSVの最新技術を徹底検証

TSVは3次元実装の究極の形と考えられており、世界中の研究機関によって研究と開発が行われています。その最新情報を3DIC、ICEP、ECTCなど最近の実装系学会の成果を基に徹底検証します。
 ・TSV貫通口形成
 ・TSV導体形成
 ・ウエハー接合
 ・樹脂注入

4. 3次元 vs. 2次元技術

TSVに対して、2次元実装によって高速化を目指すソリューションも新たに研究開発されています。3次元技術と2次元技術を比較して長所と短所を明確にし、これらの技術のアプリケーションについて解説します。
 ・2次元チップ隣接実装構造の長所と短所
 ・3次元実装構造の長所と短所

5. TSVのアプリケーション

TSVは技術シーズからスタートし、そのニーズであるアプリケーションが欠けていることが最大の課題とされてきました。ここでは、実用化に向けて研究されているアプリケーションについて述べます。
 ・シリコン・インターポーザー
 ・ワイドI/O DRAM
 ・FPGA
 ・MEMSとのSiP

6. カーエレクトロニクスへのパッケージング技術とSiP

従来の内燃エンジン自動車に加えて、電気自動車、プラグイン・ハイブリッド車などが実用化されています。このような自動車の進化に伴って、どのような半導体パッケージ技術を開発していくのか、どのようなソリューションを提案していくのかを、ニーズを踏まえて解説します。特に、エンジンに電子モジュールを直載するために高温での耐熱性が要求されており、パッケージの材料、特にCuワイヤ・ボンディングに注目が集まっています。そのCuワイヤ・ボンディング技術についても解説します。
 ・高温耐熱要求とパッケージ
 ・Cuワイヤ・ボンディング
 ・Cuワイヤ用樹脂
 ・カーエレクトロニクス用途のSiP

7. 困難な技術課題への挑戦

半導体パッケージにおける今後の課題とそのソリューションを総括します。

8. Q&A

※途中、昼休憩と午後の小休憩が入ります。

※講演時刻等、随時更新いたします。また、プログラムは変更になる場合があります。あらかじめご了承願います。

事前申込は終了しました
※当日受付を承ります。直接会場にお越しください。

講師紹介

中島 宏文ルネサス エレクトロニクス 生産本部 実装・テスト技術統括部 技術企画部 シニアエキスパート(IEEEシニアメンバー、ITRS 国際委員、IEC SC47A国際幹事、JEITA日本実装技術ロードマップG 副委員長)

1979年、信州大学 電気工学修士課程修了。同年、NEC入社、集積回路事業部に配属。モールド・パッケージ用リードフレームの開発やその銀メッキ技術、外部端子のはんだめっき技術を2年間担当した。その後、銀ペースト・マウントによるスナップキュア技術、時計/ゲーム機用COBモジュール、DRAM用PLCC/SOJなど、パッケージ開発を7年間担当。さらに、米国の生産拠点であるNEC Electronics Inc.に海外赴任し、組み立て技術を5年間担当した。1993年に帰国し、BGA/CSP開発に従事。2001年からはパッケージ開発戦略、マーケティング、標準化、ロードマップなどを担当している。2010年、NECエレクトロニクスとルネサス テクノロジの合併によって、ルネサス エレクトロニクス勤務に変わる。

■受講料のお支払い:
後日、受講券・ご請求書を郵送いたします。ご入金は銀行振込でお願いいたします。なお、振込手数料はお客様のご負担になりますので、あらかじめご了承ください。

■お申し込み後のキャンセルおよび欠席:
お申し込み後のキャンセル、ご送金後の返金はお受けいたしかねます。代理の方が出席くださいますようお願いいたします。

■最少開催人員:
20名。参加申込人数が最少開催人員に達しない場合は、開催を中止させていただくことがあります。

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