セミナー/イベント

NEアカデミー SICパワー・デバイスを知り尽くす

印刷用ページ
 
NEアカデミーTOPへ NEアカデミーのカバー分野 開催スケジュール これまでに開催したNEアカデミー お問い合わせ
NEアカデミー

SiC、GaN、パワー半導体、高温動作
SiCパワー・デバイスを知り尽くす
基礎から最新動向、そしてアプリケーションまで、SiCデバイス応用のポイントを探る

事前申込は終了しました
※当日受付を承ります。直接会場にお越しください。

ダイオードに続き、MOSFETが製品化されるなど、SiC(silicon carbide、炭化ケイ素)パワー・デバイスの本格的な実用化が間近に迫っています。

SiCパワー・デバイスは、物性的にSiパワー・デバイスよりも優れており、電力損失を半減できる、高温動作が可能で放熱が楽になる、高速化が可能といったメリットがあります。従来は模様眺めのところが多かった電子機器メーカーや自動車メーカーも、システム・メリットを考慮しながら積極的にSiCパワー・デバイスの使用を検討するようになりました。

例えば、東芝や三菱電機はSiCインバータ装置を製品化し、2012年から鉄道に搭載する予定です。鉄道だけでなく、SiCパワー・デバイスはさまざまなアプリケーションへの適用が期待されて、今後広く普及するとみられています。

SiCの結晶・基板開発やデバイス開発も着々と進んでおり、アプリケーションを開発する企業からは、実用化する上での開発課題も浮かび上がってきました。本セミナーでは、SiCパワー・デバイスの基礎や研究開発の最新動向から知識を深め、応用例を示しながら、開発の現状や課題などを明確にします。


概要

  • 日時:2012年2月14日(火) 10:00~17:00 (開場9:30予定)
  • 会場:化学会館(東京・お茶の水)
  • 主催:日経エレクトロニクス

受講料(税込み)

  • 一般価格:48,800円
  • 日経エレクトロニクス(NE)読者価格:39,800円

◇一般価格には「日経エレクトロニクス購読(最新号1冊+1年26冊)」が含まれます。 ご送本開始は開催後になります。
◇日経エレクトロニクス定期購読者の皆様は、NE読者価格でお申し込みいただけます。
日経エレクトロニクスPremium定期購読者の皆様は、Premium読者価格(一般価格の50%割引)で受講いただけます。

※受講料には、昼食は含まれておりません。
※一般価格に含む日経エレクトロニクス購読をご登録させていただく方には、NEニュース配信と、読者限定サービスのアクセス権の設定をいたします。
※満席になり次第、申込受付を締め切らせていただきますので、お早めにお申し込みください。

プログラム詳細

10:00~10:15

2011年のSiC業界の動向を振り返る

日経エレクトロニクス 編集
久米 秀尚

2011年は、SiC業界にとって大きな変化のあった1年でした。東芝や三菱電機が鉄道向けのインバータ装置を製品化したり、新日本製鐵が6インチSiC基板を開発したりと、話題が急増しました。「2011年にSiC製パワー半導体市場の規模は5000万~5300万米ドルであり、2012年以降は市場規模がもっと大きくなっていく」(調査会社のYole Developpement社)との見方もあります。専門家の講演に先立って、急速に変化し始めたSiC業界の動向を整理します。

10:15~11:45

SiCパワー・デバイスの位置づけと最新動向

よこはま高度実装技術コンソーシアム
理事
宮代 文夫 氏

SiCパワー・デバイスの基礎と最新動向を概観し、SiCパワー・デバイスの現状と課題を整理する。基礎については、SiCの物性や効果といった内容を整理するとともに、最近存在感が高まっているGaN系のパワー半導体との比較についても言及する。最新動向に関しては、2011年9月に米国クリーブランドで開催されたSiCに関する国際会議「ICSCRM 2011」での発表内容を中心に紹介する。現地で実際に講演を聞いた筆者が注目すべき内容をピックアップして解説する。

昼休憩

12:45~15:00

SiCパワー・デバイスの開発動向と実用化への課題

東芝
研究開発センター 電子デバイスラボラトリー 研究主幹
四戸 孝 氏

SiCのパワー・デバイスとしての特徴のほか、大口径化・高品質化・低コスト化へ向けたウエハー開発動向、限界に迫る低損失化と社会インフラ用の高耐圧(3~5kV)、超高耐圧(10kV以上)化へ向けたSiCパワー・デバイス開発動向を紹介する。さらに、パワー・エレクトロニクス機器へ適用する際の基本的な考え方と、普及促進につながるシステム・メリット、高温動作に関する考え方と実装技術への要請、実際の適用研究例について解説する。実用化が見えてきた電車などの社会インフラ向けインバータ装置の開発動向についても言及する。さらに、業界動向として、本格的に動き始めたSiCの国家プロジェクトの現状も紹介する。

休憩

15:15~16:45

車載パワー・エレクトロニクスにおける、パワー・デバイスの実装課題とSiC

カルソニックカンセイ
電子事業本部 エキスパートエンジニア
冨永 保 氏

Siをはるかに超える高温動作が可能な、“Beyond Si”といわれるSiCではあるが、そこにどんなメリットがあるのか検証が必要である。パワー・デバイスのMore mooreを追求する過程で生じる課題(More than Si)を解説すると共に、中心課題に対する方策を検討する。
アプリケーションでは、電気自動車(EV)に焦点を当てる。車載パワー・エレクトロニクスへの要求は、インバータ・パワー・モジュールのコストの多くを占めるパワー・デバイスの価格低減が中心となる。モジュール・コストの低減には、実装ロードマップである「More moore」を第一に追求する必要がある。これまでSiで長年培ってきたノウハウを活用できる場合も多くある。課題と開発目標を整理し、方策を示す。

16:45~17:00

Q&A、名刺交換会

※途中、昼休憩と午後の小休憩が入ります。

事前申込は終了しました
※当日受付を承ります。直接会場にお越しください。

講師紹介

宮代 文夫 よこはま高度実装技術コンソーシアム 理事

1962年、東芝入社。同社 総合研究所で、マイクロ波電子管や弾性表面波デバイス、セラミックスなどの研究開発に従事。金属セラミック材料研究所長、新素材応用研究所長などを歴任。エレクトロニクス実装学会 副会長などを務めた。
現在、よこはま高度実装技術コンソーシアム(YJC)内に設置されているパワーデバイス実装研究会の世話人。

四戸 孝 東芝 研究開発センター 電子デバイスラボラトリー 研究主幹

1981年、東北大学大学院 理学研究科 修士課程終了、東芝入社。同社 研究開発センターにて、一貫してパワー半導体デバイスの研究開発に従事。この間にGTO、MOSゲートサイリスタ、IGBT、ダイオード、SiCパワー半導体デバイスなどの研究開発を行い、現在に至る。

冨永 保 カルソニックカンセイ 電子事業本部 エキスパートエンジニア

1972年、名古屋工業大学 電気工学 修士課程修了、日産自動車入社。車載半導体(IC、パワー・デバイス、センサ)の設計試作、HIC実装技術の応用開発に従事。1989年、カンセイ(現・カルソニックカンセイ)入社、自動車用ASICのOEM開発に従事。その間、車載環境と半導体の耐環境性とその評価手法を開発。現在は、車載パワー・モジュールの実装技術開発に従事。

※講演時刻等、随時更新いたします。また、プログラムは変更になる場合があります。あらかじめご了承願います。

■受講料のお支払い:
後日、受講券・ご請求書を郵送いたします。ご入金は銀行振込でお願いいたします。なお、振込手数料はお客様のご負担になりますので、あらかじめご了承ください。

■お申し込み後のキャンセルおよび欠席:
お申し込み後のキャンセル、ご送金後の返金はお受けいたしかねます。代理の方が出席くださいますようお願いいたします。

■最少開催人員:
20名。参加申込人数が最少開催人員に達しない場合は、開催を中止させていただくことがあります。

法人のお客様 個人のお客さま

マイページ

マイページのご利用には日経テクノロジーオンラインの会員登録が必要です。

マイページでは記事のクリッピング(ブックマーク)、登録したキーワードを含む新着記事の表示(Myキーワード)、登録した連載の新着記事表示(連載ウォッチ)が利用できます。

協力メディア&
関連サイト

  • 日経エレクトロニクス
  • 日経ものづくり
  • 日経Automotive
  • 日経デジタルヘルス
  • メガソーラービジネス
  • 明日をつむぐテクノロジー
  • 新・公民連携最前線
  • 技術者塾

セミナー/イベント検索

名称から探す

検索

開催日から探す

日以降(1カ月間)

検索

お薦めセミナー/イベント

【(重要)「日経ID」統合について】

日経BPパスポートは、2014年4月30日から、「日経ID」に統合いたしました。
詳細につきましてはこちらをご覧ください。
技術者塾

セミナー/イベント・カレンダー