NEテクノロジー・シンポジウム2011 @CEATEC

半導体ストレージ
B-2: SSDからポスト・フラッシュまで、最新メモリ技術が揃う
Line-up of the advanced memory technologies from SSD through post Flash

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フラッシュ・メモリを軸とする半導体ストレージの市場が今後急拡大します。従来の携帯機器に加えて、サーバー機やデータ・センターなどへの搭載が今後加速していくからです。市場の拡大に向けて、NANDフラッシュ・メモリの大容量化・低コスト化はしばらく続きます。その一方で、性能面や信頼性面におけるフラッシュ・メモリの弱点を補う目的で、MRAMやReRAMといった新型不揮発性メモリの開発も加速し始めました。

今回の技術セミナーでは、NANDフラッシュ・メモリやSSDの最新動向に加えて、大手機器メーカーなどが新型不揮発性メモリの開発状況などを明らかにします。


概要

  • 日時:2011年10月7日(金) 14:00~17:15(開場13:30)予定
  • 会場:アパホテル 東京ベイ幕張 ホール2F(JR京葉線「海浜幕張」駅より徒歩5分)
  • 主催:日経エレクトロニクス
  • 協力:CEATEC JAPAN

テキスト代(税込み)

  • 4,200円


  • ※ 当日配布したテキストを特別頒布します。

    ※ 在庫冊数に限りがありますので、お早めにお申し込みください。

    ※ テキスト冊子は、A4横サイズ1ページに4コマ掲載のモノクロ両面印刷です。

    ※ この商品の返品はお受けできません。

プログラム詳細

14:00~14:45

東芝のストレージ・メモリ戦略

資料16枚

東芝
セミコンダクター&ストレージ社 SSD技師長
百冨 正樹 氏

NANDフラッシュ・メモリに代表される不揮発性ストレージ・メモリは、小型、低電力、高速の記憶装置として、今後も市場が拡大する。微細化への挑戦は困難を極めるが、技術の蓄積とイノベーションにより克服できる。同時に、NANDフラッシュ・メモリの物理的限界に備え、新規不揮発性メモリの開発も急務である。本講では、3~5年後を見据えた東芝の不揮発性ストレージ・メモリ技術開発戦略について述べる。

14:50~15:35

高性能アプリケーション向けSSDのトレンド

資料21枚

米Hitachi Global Storage Technologies(HGST)社
Vice President of Product Marketing
Brendan Collins 氏

サーバーやデータ・センターなどのエンタープライズ用途において、SSDの導入が広がっている。クラウド・コンピューティングなどのアプリケーションでは、ストレージに対する性能面や容量面での需要が高まる一方である。こうした需要に応えるためには、HDDとSSDを適切に使い分けることが重要になる。つまり、HDDとSSDは相互補完的な関係にあると言える。本講演では、SSD技術のコア・コンピタンスを検証するとともに、エンタープライズ用途の半導体ストレージに求められるアーキテクチャ、要素技術、製品仕様などを考察する。

15:40~16:25

高速ReRAMを用いた次世代メモリ・システム

資料31枚

ソニー
プロフェッショナル・デバイス&ソリューショングループ(PDSG) 半導体事業本部 研究開発部門
次世代メモリシステム準備室 室長
筒井 敬一 氏

SSDとHDDのPaired Drive技術、またはNANDフラッシュとHDDを併用するHybrid Drive技術が注目を集めている。さらなる高速化に加えて低消費電力化を実現するには、 高速な不揮発性メモリを直接キャッシュとして用いるストレージ・クラス・メモリの実現が有望である。注目を集めるNANDフラッシュを使ったDrive技術の最新情報から、ストレージ・クラス・メモリを実現する高速ReRAMを用いた次世代メモリ・システムまでを紹介する。

16:30~17:15

3次元クロスポイント・メモリ技術「CMOx」

資料33枚

米Unity Semiconductor社
Chief Operating Officer
Christophe Chevallier 氏

Unity社が開発を進めている「CMOx」は、NANDフラッシュ・メモリの代替を目指す抵抗変化型の新不揮発性メモリである。メモリ・セルにトランジスタを備えないクロスポイント構成のメモリ・アレイを採用し、アレイそのものを3次元方向に複数積層する。こうした特徴に加え、1個のメモリ・セルに複数ビットを格納する多値技術の適用も可能なことから、ビット・コストの大幅な低減が可能である。現行のNANDフラッシュ・メモリに比べて書き込み速度も向上できるなど、新型メモリとして極めて高い潜在能力を持つ。その全貌を明らかにする。

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