セミナー/イベント

NEアカデミー SiCパワー・デバイスを使いこなす

印刷用ページ
 
NEアカデミーTOPへ NEアカデミーのカバー分野 開催スケジュール これまでに開催したNEアカデミー お問い合わせ
NEアカデミー

SiC,パワー半導体,パワー・デバイス,高温動作,GaN
SiCパワー・デバイスを使いこなす
回路設計から実装技術まで,SiCデバイス応用のポイントを探る

事前申込は終了しました
※当日申込を承ります。直接会場へお越しください。

ダイオードに続き,ついにMOSFETが製品化されるなど,SiC(silicon carbide,炭化ケイ素)パワー・デバイスの本格的な実用化が間近に迫っています。SiCパワー・デバイスは,物性的にSiパワー・デバイスよりも優れており,電力損失を半減できる,高温動作が可能で放熱が楽になる,高速化が可能といったメリットがあります。従来は模様眺めのところが多かった電子機器メーカーや自動車メーカーも,システム・メリットを考慮しながら積極的にSiCパワー・デバイスの使用を検討するようになりました。

ただし,SiCパワー・デバイスが今後広く普及するには,実装技術の開発が課題として残されています。これまでは,SiCの結晶・基板開発やデバイス開発に注力しており,実装技術にはあまり手が回っていませんでした。

例えば,Siパワー・デバイスの動作温度は最大175~200℃程度ですが,SiCパワー・デバイスは300℃程度の高温で動作します(デバイス単体の性能確認実験は400℃以上でも行われています)。このため,高温で動作し信頼性の高い実装材料が新たに求められています。しかし,そもそもパワー・デバイスの接合温度を何℃で使うべきか,という基本的な議論も十分にはなされていないのが現状です。

ここでは,SiCパワー・デバイスの応用とデバイス,実装面から現状と課題を明確にします。


概要

    ※地震の影響により,開催日と会場を変更しました。

  • 日時:2011年4月21日(木) 10:00~17:00 (開場9:30予定)
  • 会場:池坊お茶の水学院(東京・お茶の水)
  • 主催:日経エレクトロニクス

受講料(税込み)

  • 一般価格:45,000円
  • 日経エレクトロニクス(NE)読者価格:38,000円

◇一般価格には「日経エレクトロニクス(最新号1冊+1年26冊)」の購読が含まれます。 ご送本開始はセミナー開催後になります。
◇日経エレクトロニクス,または日経エレクトロニクスPremium定期購読者の皆様は,それぞれの読者価格でお申し込みいただけます。
日経エレクトロニクスPremium読者の方は,Premium読者価格(一般価格の50%割引)で受講いただけます。



※受講料には,昼食は含まれておりません。
※満席になり次第,申込受付を締め切らせていただきますので,お早めにお申し込みください。

プログラム詳細

10:00~12:30

SiCパワーデバイス開発動向と実用化への課題

東芝
研究開発センター 電子デバイスラボラトリー 研究主幹
四戸 孝 氏

SiCパワー・デバイスの基礎物性とパワー・デバイスとしての特長,大口径化・高品質化・低コスト化へ向けたウエハー開発動向,限界に迫る低損失化と社会インフラ用の高耐圧(3~5kV),超高耐圧(10kV以上)化へ向けたSiCパワー・デバイス開発動向,パワー・エレクトロニクス機器へ適用する際の基本的な考え方と普及促進につながるシステム・メリット,高温動作に関する考え方と実装技術への要請,実際の適用研究例について解説する。さらに,業界動向として,本格的に動き始めたSiCの国家プロジェクトの現状も紹介する。

12:30~13:30

昼休憩

13:30~14:50

車載パワー・エレクトロニクスにおけるパワー・デバイスの実装課題とSiC

カルソニックカンセイ
電子事業部 エキスパートエンジニア
冨永 保 氏

電気自動車(EV)の第2世代品の課題は普及可能な車両価格の実現であり,車載パワー・エレクトロニクスへの要求は,インバータ・パワー・モジュールのコストの多くを占めるパワー・デバイスの価格低減が中心となる。モジュール・コストの低減には,実装ロードマップである「More moore」を第1に追求する必要がある。チップ数の削減や実装面積の縮小による価格低減である。これはパワー・デバイスでも同様で,接続するチップ数を減らし,ワット単価を下げる方策が重要となる。インバータへの応用を考える場合,SiCも同列となる。

Siをはるかに超える高温動作が可能なことで,“Beyond Si”といわれるSiCではあるが,Siを超えたところにどんなメリットがあるのか検証が必要である。ここでは,パワー・デバイスのMore mooreを追求する過程で生じる実装課題(More than Si)を解説すると共に,中心課題に対する方策を検討する。

14:50~15:00

休憩

15:00~16:30

SiCパワー・デバイス実用化のインパクトと最新動向

よこはま高度実装技術コンソーシアム
理事
宮代 文夫 氏

SiCパワー・デバイスとその実装技術の最新動向を概観し,SiCパワー・デバイスの現状と課題を整理する。実装技術については,特にSiCパワー・デバイスと直接接触する耐熱材料(樹脂材料,はんだ材料など)の開発,小型ヒートパイプや高放熱シートなどを含めた高放熱・小型化モジュールの設計動向を述べる。SiCの接合温度(Tj)を200℃,250℃,300℃など何℃にすべきかというさまざまな意見の論拠と今後の開発指針を解説する。さらに,最近存在感が高まっているGaN系のパワー半導体との比較についても言及する。

16:30~17:00

Q&A,名刺交換会

※途中,昼休憩と午後の小休憩が入ります。

事前申込は終了しました
※当日申込を承ります。直接会場へお越しください。

講師紹介

四戸 孝東芝 研究開発センター 電子デバイスラボラトリー 研究主幹

1981年,東北大学大学院 理学研究科修士課程終了,東芝入社。同社研究開発センターにて,一貫してパワー半導体デバイスの研究開発に従事。この間にGTO,MOSゲートサイリスタ,IGBT,ダイオード,SiCパワー半導体デバイスなどの研究開発を行い,現在に至る。

冨永 保カルソニックカンセイ 電子事業部 エキスパートエンジニア

1972年,名古屋工業大学 電気工学修士課程修了,日産自動車入社。車載半導体(IC,パワー・デバイス,センサ)の設計試作,HIC実装技術の応用開発に従事。1989年,カンセイ(現・カルソニックカンセイ)入社,自動車用ASICのOEM開発に従事。その間,車載環境と半導体の耐環境性とその評価手法を開発。現在は車載パワー・モジュールの実装技術開発に従事。

宮代 文夫よこはま高度実装技術コンソーシアム 理事

1962年,東芝入社。同社総合研究所で,マイクロ波電子管や弾性表面波デバイス,セラミックスなどの研究開発に従事。金属セラミック材料研究所長,新素材応用研究所長などを歴任。エレクトロニクス実装学会 副会長などを務めた。現在,よこはま高度実装技術コンソーシアム(YJC)内に設置されているパワーデバイス実装研究会の世話人。

※講演時刻等,随時更新いたします。また,プログラムは変更になる場合があります。あらかじめご了承願います。

■受講料のお支払い:
後日,受講券・ご請求書を郵送いたします。ご入金は銀行振込でお願いいたします。なお,振込手数料はお客様のご負担になりますので,あらかじめご了承ください。

■お申し込み後のキャンセルおよび欠席:
お申し込み後のキャンセル,ご送金後の返金はお受けいたしかねます。代理の方が出席くださいますようお願いいたします。

法人のお客様 個人のお客さま

マイページ

マイページのご利用には日経テクノロジーオンラインの会員登録が必要です。

マイページでは記事のクリッピング(ブックマーク)、登録したキーワードを含む新着記事の表示(Myキーワード)、登録した連載の新着記事表示(連載ウォッチ)が利用できます。

協力メディア&
関連サイト

  • 日経エレクトロニクス
  • 日経ものづくり
  • 日経Automotive
  • 日経デジタルヘルス
  • メガソーラービジネス
  • 明日をつむぐテクノロジー
  • 新・公民連携最前線
  • 技術者塾

セミナー/イベント検索

名称から探す

検索

開催日から探す

日以降(1カ月間)

検索

お薦めセミナー/イベント

【(重要)「日経ID」統合について】

日経BPパスポートは、2014年4月30日から、「日経ID」に統合いたしました。
詳細につきましてはこちらをご覧ください。
技術者塾 【アンケート】技術者塾講座ガイドブック2015 Autumn版進呈

セミナー/イベント・カレンダー