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メモリ
不揮発性メモリを使いこなす
~SSDからストレージ・クラス・メモリまで~

事前申込は終了しました
※当日申込を承ります。直接会場へお越しください。

NANDフラッシュ・メモリを利用した新世代ストレージ装置のSSD(solid state drive)は,ノート・パソコンやデジタル・カメラ,カーナビなどに既に搭載されており,今後もサーバーや産業機器,据置型の各種デジタル民生機器などに利用される見込みです。2.5インチHDDの代替は既に本格的に始まっており,今後は3.5インチHDDの一部代替が進む方向にあります。加えて,今後数年以内には,DRAMとNANDフラッシュ・メモリの性能差を埋めることを狙った「ストレージ・クラス・メモリ」の市場投入が始まります。

SSDは,NANDフラッシュ・メモリとコントローラLSI,バッファ・メモリ用途のDRAMなどから構成されています。SSDの信頼性や性能は,NANDフラッシュ・メモリの信頼性・性能だけでなく,コントローラLSIのアルゴリズムやバッファ・メモリ容量など,多くのシステム要件によって大きく左右されます。このため,電子機器の設計者がSSDを使いこなすためには,NANDフラッシュ・メモリの動作原理や,コントローラLSIの特性など,習熟しなければならない項目は少なくありません。

本セミナーでは,NANDフラッシュ・メモリのデバイス技術や回路技術を踏まえつつ,コントローラLSIやOS,制御アルゴリズム,電源などを含めたSSD全体の開発技術について,現状と今後の課題,開発の指針を解説します。加えて,ストレージ・クラス・メモリについても,現状と今後の方向性などについて,触れていただきます。


概要

  • 日時:2011年4月25日(月) 10:00~17:00 (開場9:30予定)  ※地震の影響により,開催日を変更しました。
  • 会場:化学会館 6F(東京・お茶の水)
  • 主催:日経エレクトロニクス

受講料(税込み)

  • 一般価格:45,000円
  • 日経エレクトロニクス(NE)読者価格:38,000円

◇一般価格には「日経エレクトロニクス(最新号1冊+1年26冊)」の購読が含まれます。 ご送本開始はセミナー開催後になります。
◇日経エレクトロニクス,または日経エレクトロニクスPremium定期購読者の皆様は,それぞれの読者価格でお申し込みいただけます。
日経エレクトロニクスPremium読者の方は,Premium読者価格(一般価格の50%割引)で受講いただけます。



※ 受講料には,昼食は含まれておりません。
※ 満席になり次第,申込受付を締め切らせていただきますので,お早めにお申し込みください。

プログラム詳細

東京大学 大学院工学系研究科 電気系工学専攻
(兼)工学部 電気電子工学科 准教授
竹内 健 氏

10:00~17:00

SSDが変えるメモリ・システム

 NANDフラッシュ・メモリの技術動向(微細化,多値化)
 SSDの技術動向(3次元積層,SSDの電源システム,磁界結合インタフェース)
 メモリ・システムの変化
 SSDの市場

NANDフラッシュ・メモリの基礎

 メモリ構造と動作原理
 MLC(multi-level cell)とSLC(single-level cell)

NANDフラッシュ・メモリの回路設計

 ランダム・アクセスとシーケンシャル・アクセス
 書き込み/読み出しの高速化
 並列動作とパイプライン動作

SSDの基礎

 ソフトウエア・アーキテクチャとハードウエア・アーキテクチャ
 SSDの性能
 ガベージ・コレクションとスロー・ランダム・ライト
 キャッシュ・ページ・コピー
 オール・ビット線アーキテクチャ
 不揮発性RAMを搭載したSSD
 SSDの消費電力
 SSDの信頼性(書き込み/読み出し不良,書き換え可能回数,データ保持期間)
 信頼性を高める技術(ウエア・レベリング,ECCなど)

SSD用のOS

 デフラグメンテーション処理の扱い
 トリム・コマンド
 MLC/SLCハイブリッドSSD
 性能の最適化

今後のメモリ技術

 NANDフラッシュ・メモリの技術的課題
 微細化の限界
 3D-NAND
 3Dクロスポイント・セル(PCRAM,MRAM,RRAM)
 2Dメモリ(エアギャップNAND,チャージ・トラップNAND,Fe-NAND)

今後のSSD技術

 NANDとコントローラ回路の協調設計
 従来の3D-SSDとその問題点
 新しい3D-SSD
 ワイヤレス・インタフェース
 ディペンダブルSSD

※途中,昼休憩と午後の小休憩が入ります。

事前申込は終了しました
※当日申込を承ります。直接会場へお越しください。

講師紹介

竹内 健東京大学 大学院工学系研究科 電気系工学専攻 (兼)工学部 電気電子工学科 准教授

1991年,東京大学 工学部物理工学科卒業。1993年,同大学院工学系研究科 物理工学専攻 修士課程修了。同年,東芝 研究開発センター USLI研究所 研究員。NANDフラッシュ・メモリの研究開発に従事。東芝在籍の15年間に世界初の64M,256M,512M,1G,2G,16GビットNANDフラッシュ・メモリの商品化に成功。マーケティング,プロジェクトマネージメント,企業間交渉や米国法廷での訴訟など,フラッシュ・メモリのビジネス広範に携わる。2003年,米スタンフォード大学 ビジネススクール 経営学 修士課程修了(MBA)。2006年,東京大学 大学院工学系研究科 電子工学専攻 博士取得。2007年,東京大学 大学院新領域創成科学研究科 基盤情報学専攻(兼)工学部 電子工学科 准教授。2008年,東京大学 大学院工学系研究科 電気系工学専攻(兼)工学部 電気電子工学科 准教授。強誘電体材料や相変化材料,金属酸化物を用いた新メモリデバイスや,3次元LSI回路,極低電力SRAM,ディペンダブルSSDメモリシステム,新メモリを使ったメモリアーキテクチャや信号処理技術などの研究に従事。登録特許は米国特許102件を含む世界で200件。ISSCC 2007にてTakuo Sugano Awardを受賞。ISSCC,ASSCCプログラム委員。

※講演時刻等,随時更新いたします。また,プログラムは変更になる場合があります。あらかじめご了承願います。

■受講料のお支払い:
後日,受講券・ご請求書を郵送いたします。ご入金は銀行振込でお願いいたします。なお,振込手数料はお客様のご負担になりますので,あらかじめご了承ください。

■お申し込み後のキャンセルおよび欠席:
お申し込み後のキャンセル,ご送金後の返金はお受けいたしかねます。代理の方が出席くださいますようお願いいたします。

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