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NEアカデミー LSI故障解析技術のノウハウとその勘所

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LSI故障解析技術
LSI故障解析技術のノウハウとその勘所
5つのステップを用いて,LSI故障解析技術の習得を目指せ

事前申込は終了しました
※当日申込を承ります。直接会場へお越しください。

LSIの故障解析技術は,LSI構造の複雑さから,通常部品のそれとは大きく異なります。また,構成要素の微細さから,装置やシステムのそれとも大きく異なります。

本セミナーでは,LSI故障解析技術の第一人者の二川 清氏の長年にわたる経験をもとに,LSI故障解析の特徴を基本の「き」からていねいに解き明かします。LSI故障解析のステップは,大きく5つに分かれます。まず,パッケージ部の解析です。そして,電気的測定結果とソフトウエアだけをもとに故障個所をチップ上の狭い範囲に絞り込み,次に,レーザビームなどを用いてマイクロメータ程度の領域まで絞り込みます。その後,電子ビームや金属プローブを用いてサブ100nm程度の領域まで絞り込み,最後は,集束イオンビームによる加工と透過電子顕微鏡をベースにした観察で,ナノメータオーダの欠陥を解析します。

以上を踏まえ,日常利用される解析技術だけでなく,最新の故障解析技術の研究開発動向や実用化動向についても,実務家の立場から解説します。


概要

  • 日時:2010年10月27日(水) 10:00~17:00 (開場9:30予定)
  • 会場:化学会館(東京都千代田区)
  • 主催:日経エレクトロニクス

受講料(税込み)

  • 一般価格:45,000円
  • 日経エレクトロニクス(NE)読者価格:38,000円

◇一般価格には「日経エレクトロニクス(最新号1冊+1年26冊)」の購読が含まれます。 ご送本開始はセミナー開催後になります。
◇日経エレクトロニクス,または日経エレクトロニクスPremium定期購読者の皆様は,それぞれの読者価格でお申し込みいただけます。

日経エレクトロニクスPremium読者の方は,
・読者価格からの割引優待,または無料(年1回限定)で受講できます。専用ハガキでお申し込みください。
・「割引優待,無料」をご利用済みの場合は,Premium読者価格(一般価格の50%割引)で受講いただけます。


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※ 受講料には,昼食は含まれておりません。
※ 満席になり次第,申込受付を締め切らせていただきますので,お早めにお申し込みください。

プログラム詳細

大阪大学 大学院 情報科学研究科 特任教授
(元NEC,NECエレクトロニクス)
二川 清 氏

10:00~17:00

1.LSIの故障とその特徴

ITRS(国際半導体技術ロードマップ)をもとに,LSIの故障解析に関連する項目について,そのトレンドをみる。1チップ当たりの最大トランジスタ数,配線ピッチ,最大配線層数,最大IDDQ値,最低電源電圧,最大パッケージピン数などが対象項目である。主な故障モードと故障メカニズムについても概観する。

 ・ ITRSにみるトレンド
 ・ 主な故障モードと故障メカニズム

2.LSIの故障解析技術概論 

故障解析の定義・役割・必要性について述べた後,LSI故障解析技術を物理的手段面から概観し,故障解析を日常世界での犯人探しと比較し,故障被疑個所絞り込みで用いる異常シグナルや異常応答について述べる。故障解析装置では頻繁に登場する走査像の仕組みと各種走査像について概観したあと,現在では必須となっているチップ裏面からの観測の必要性と手段について見ていく。故障解析の手順をざっと見た後,故障解析技術を電気的評価法,異常シグナル・異常応答利用法,組成分析法,形態・構造観察法,加工法といった観点から分類して概観する。最後に,個々の解析技術を手順に沿って詳細に見ていく。

 ・ 基礎的事項
 ・ パッケージ部の故障解析
   - X線透視、X線CT
   -超音波探傷法(走査超音波顕微鏡法)
   -走査SQUID顕微鏡
   -ロックインサーモグラフィー
 ・ チップ部の故障解析
   -故障診断
   -非破壊絞り込み技術
    = IR-OBIRCH
    =エミッション顕微鏡
    = EBテスタ
   -半破壊絞り込み技術
    = ナノプロービング
    = 電位コントラスト法
    = 吸収電流法(EBAC,RCI)
   -物理化学的解析技術
    = FIB(集束イオンビーム)
    = SEM(走査電子顕微鏡)
    = TEM(透過電子顕微鏡)/STEM(走査型透過電子顕微鏡)
    = EDS(エネルギー分散型X線分光法)
    = EELS(電子線エネルギー損失分光法)
    = AES(オージェ電子分光法)

3.故障解析事例

実際の故障解析の現場では,2章で解説した個々の故障解析技術が,単独あるいは組み合わされてどのように使われているかを見る。

 ・ DRAMのIR-OBIRCHなどによる解析事例
 ・ ロジックLSIの解析事例
   -エミッション顕微鏡などでの解析事例:2例
   -IR-OBIRCHでの解析事例:2例
   -IR-OBIRCHとエミッション顕微鏡を組み合わせた解析事例
   -動的加熱法(SDL)を含む多くの解析手法を総動員した解析事例
 ・ パワーMOS-FETの解析事例
 ・ TiSi配線の解析事例
 ・ 銅配線TEGの解析事例

4.新しい故障解析関連技術の開発・実用化動向

最近登場した故障解析技術を紹介する。光を利用した技術,電子顕微鏡技術,イオンビーム関連技術,走査プローブ顕微鏡技術,3次元アトムプローブなどがある。

 ・ 光を利用した故障解析技術発展の流れと最近の動向
 ・ 電子顕微鏡関連技術
 ・ イオンビーム関連技術
 ・ 走査プローブ顕微鏡関連技術
 ・ 3次元アトムプローブ

※途中,昼休憩と午後の小休憩が入ります。

事前申込は終了しました
※当日申込を承ります。直接会場へお越しください。

講師紹介

二川 清 大阪大学 大学院 情報科学研究科 特任教授

1974年 大阪大学大学院 基礎工学研究科 修士課程修了。同年,日本電気入社
1992年 同社 主管研究員
1995年 工学博士(大阪大学)
2005年 NECエレクトロニクス シニアプロフェッショナル
2010年より現職

※講演時刻等,随時更新いたします。
※プログラムは変更になる場合があります。あらかじめご了承願います。

■受講料のお支払い:
後日,受講券・ご請求書を郵送いたします。ご入金は銀行振込でお願いいたします。なお,振込手数料はお客様のご負担になりますので,あらかじめご了承ください。

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