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NEアカデミー SSDの使いこなし方

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新世代ストレージ
SSDの使いこなし方
基礎から応用まで包括的に解説

事前申込は終了しました
※当日申込を承ります。直接会場へお越しください。

NANDフラッシュ・メモリを利用した新世代ストレージ装置のSSD(solid state drive)は,ノート・パソコンやデジタル・カメラ,カーナビなどに既に搭載されており,今後もサーバーや産業機器,据置型の各種デジタル民生機器などに利用される見込みです。2.5インチHDDの代替は既に本格的に始まっており,今後は3.5インチHDDの一部代替が進む方向にあります。

SSDは,NANDフラッシュ・メモリとコントローラLSI,バッファ・メモリ用途のDRAMなどから構成されています。SSDの信頼性や性能は,NANDフラッシュ・メモリの信頼性・性能だけでなく,コントローラLSIのアルゴリズムやバッファ・メモリ容量など,多くのシステム要件によって大きく左右されます。このため,電子機器の設計者がSSDを使いこなすためには,NANDフラッシュ・メモリの動作原理や,コントローラLSIの特性など,習熟しなければならない項目は少なくありません。

本セミナーでは,NANDフラッシュ・メモリのデバイス技術や回路技術を踏まえつつ,コントローラLSIやOS,制御アルゴリズム,電源などを含めたSSD全体の開発技術について,現状と今後の課題,開発の指針を解説します。


概要

  • 日時:2010年9月29日(水) 10:00~17:00 (開場9:30予定)
  • 会場:化学会館(東京都千代田区)
  • 主催:日経エレクトロニクス

受講料(税込み)

  • 一般価格:45,000円
  • 読者価格:38,000円

★関連書籍「SSD2010」と,合わせてお申し込みもいただけます。

■ セミナー+書籍のお申し込み ※書籍はセミナー当日,受付にてお渡しします。

  • 一般価格:57,000円
  • 読者価格:50,000円
◇日経エレクトロニクス,日経エレクトロニクスPremium定期購読者の皆様は,「読者価格」でお申し込みいただけます。
◇一般価格には「日経エレクトロニクス(最新号1冊+1年26冊)」の購読が含まれます。ご送本開始はセミナー開催後になります。
日経エレクトロニクスPremium読者の方は,
・読者価格からの割引優待,または無料(年1回限定)で受講できます。専用ハガキでお申し込みください。
・「割引優待」を利用済みの場合は,上記の読者価格での受講となります。

※ 受講料には,昼食は含まれておりません。
※ 満席になり次第,申込受付を締め切らせていただきますので,お早めにお申し込みください。

プログラム詳細

東京大学
大学院工学系研究科電気系工学専攻,工学部電気電子工学科 准教授
竹内 健 氏

10:00~17:00

◆SSDが変えるメモリ・システム

 NANDフラッシュ・メモリの技術動向(微細化,多値化)
 SSDの技術動向(3次元積層,SSDの電源システム,磁界結合インタフェース)
 メモリ・システムの変化
 SSDの市場

◆NANDフラッシュ・メモリの基礎

 メモリ構造と動作原理
 MLC(multi-level cell)とSLC(single-level cell)

◆NANDフラッシュ・メモリの回路設計

 ランダム・アクセスとシーケンシャル・アクセス
 書き込み/読み出しの高速化
 並列動作とパイプライン動作

◆SSDの基礎

 ソフトウエア・アーキテクチャとハードウエア・アーキテクチャ
 SSDの性能
 ガベージ・コレクションとスロー・ランダム・ライト
 キャッシュ・ページ・コピー
 オール・ビット線アーキテクチャ
 不揮発性RAMを搭載したSSD
 SSDの消費電力
 SSDの信頼性(書き込み/読み出し不良,書き換え可能回数,データ保持期間)
 信頼性を高める技術(ウエア・レベリング,ECCなど)

◆SSD用のOS

 SSDとOSの最適化が必要な理由とWindows7の変更点
 デフラグメンテーション処理の扱い
 トリム・コマンド
 MLC/SLCハイブリッドSSD
 性能の最適化

◆今後のメモリ技術

 NANDフラッシュ・メモリの技術的課題
 微細化の限界
 3D-NAND
 3Dクロスポイント・セル(PCRAM,MRAM,RRAM)
 2Dメモリ(エアギャップNAND,チャージ・トラップNAND,Fe-NAND)

◆今後のSSD技術

 NANDとコントローラ回路の協調設計
 従来の3D-SSDとその問題点
 新しい3D-SSD
 ワイヤレス・インタフェース
 ディペンダブルSSD

※途中,昼休憩と午後の小休憩が入ります。

事前申込は終了しました
※当日申込を承ります。直接会場へお越しください。

講師紹介

竹内 健 東京大学 大学院工学系研究科電気系工学専攻,工学部電気電子工学科 准教授

1991年,東京大学 工学部卒業。1993年,同大学院工学系研究科 物理工学専攻 修士課程修了。同年,東芝 研究開発センター USLI研究所 研究員。NANDフラッシュ・メモリの研究開発に従事。東芝在籍の14年間にフラッシュ・メモリの容量が16Mビットから16Gビットに高まる。HDD代替を目指すSSDのデータ・アクセス高速化,低消費電力化,信頼性向上などの技術を開発。多値(MLC)フラッシュ・メモリを含め,コントローラとOSの最適化などを推進。2003年,米スタンフォード大学 ビジネススクール 経営学修士課程修了(MBA)。2007年,東京大学 大学院新領域創成科学研究科 基盤情報学専攻 准教授。半導体メモリを対象に,回路設計を中心としてシステム,デバイス,物性物理などを研究。米国特許72件を含む,世界で100件以上の特許を取得。

※講演時刻等,随時更新いたします。
※プログラムは変更になる場合があります。あらかじめご了承願います。

■受講料のお支払い:
後日,受講券・ご請求書を郵送いたします。ご入金は銀行振込でお願いいたします。なお,振込手数料はお客様のご負担になりますので,あらかじめご了承ください。

■お申し込み後のキャンセルおよび欠席:
お申し込み後のキャンセル,ご送金後の返金はお受けいたしかねます。代理の方が出席くださいますようお願いいたします。

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