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More than Mooreを支える中核技術を詳説

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接合技術 11/18開催 1日コース
接合技術の基礎から応用
More than Mooreを支える中核技術を詳説

事前申込は終了しました

LSIの3次元実装,アドバンスト・パッケージング,イメージ・センサー,LEDパッケージング,太陽電池,パワー・デバイス,RFデバイス…。接合の応用範囲が,特にMore than Mooreデバイス向けで急速に広がっています。いずれも異種ウエーハ,異種プロセス,異種回路による技術開発が必要となるためです。低温接合によって,材料,製造手法,機能を最適化したモジュールを“接着”し,製品に新しい付加価値を吹き込むことができます。今回,低温接合技術に強みを持つ5社が登場します。そして,おなじみ東京大学・須賀先生が,聴講者の皆さまからの疑問にお答えします。本セミナーは,接合の基礎技術から最新の適用事例までカバーします。デバイス・メーカーの技術者やマーケティング担当者の皆さまにとって,見逃せないものとなるでしょう。


概要

受講料(税込み)

  • 読者価格:35,000円
  • 一般価格:45,000円
  • ◇日経エレクトロニクス,日経エレクトロニクスPremium,NIKKEI MICRODEVICES定期購読者の皆様は,「読者価格」でお申し込みいただけます。
    日経エレクトロニクスPremium読者の方は,
    ・読者価格からの割引優待(年1回限定)で受講できます。専用ハガキでお申し込みください。
    ・「割引優待」を利用済みの場合は,上記の読者価格での受講となります。

    ※ 受講料には,昼食は含まれておりません。
    ※ 満席になり次第,申込受付を締め切らせていただきますので,お早めにお申し込みください。

プログラム詳細

10:30~10:35

開催にあたって

東京大学
工学系研究科 精密機械工学専攻 教授
須賀 唯知 氏


10:35~11:20

低温接合技術と高精度位置合わせによる先端実装分野への応用

イーヴィグループジャパン
テクノロジー部
黒瀧 弘和 氏

ウェーハ接合技術はMEMSやSOIあるいは化合物半導体などの分野で用いられてきたが,近年ではウェーハレベルパッケージングや3次元積層といった先端実装分野にその応用範囲が広がりつつある。ここで,基板同士を高精度に位置合わせして積層していく場合,高温での接合は基板の熱膨張による位置ズレを生じ,特に大口径基板ではこの影響がより顕著になる。また,加熱・冷却プロセスによるスループット低下の懸念などから,より低温での接合が望まれている。
EV Groupは,独自の高精度位置合わせ技術と低温接合技術の組み合わせにより,こうした課題を解決している。本講演では,具体的な応用例を示しながら,そこで使われる技術や装置について解説する。

11:20~12:05

メタル接合技術とその応用

ズース・マイクロテック
リソグラフィー部門 技術開発部 マネージャー
石田 博之 氏

MEMSデバイスと制御用LSI等の異種機能インテグレーション,振動デバイスやジャイロセンサーの真空封止パッケージング等,ウェーハレベルでのプロセス技術としてメタル接合の適用が進んでいる。本講演では,AuSnやAlGe等の共晶接合,Au-AuやCu-Cu等の金属拡散接合,サブミクロンAu粒子を用いた熱圧着接合等,デバイスウェーハに対しプロセス可能なメタル接合技術,およびそれに必要となる装置技術を紹介する。

12:05~13:15

昼 休 憩

13:15~14:00

表面活性化による低温接合と電子デバイスへの適用可能性

アユミ工業
営業技術部 マネージャー
阿部 英之 氏

半導体,MEMS,LED関係など多くの電子デバイスで基板同士の低温接合の要求が高まっている。シリコン同士の接合から異種材料の接合などいくつかの接合事例について紹介する。表面活性化接合での接合事例と気密封止技術や陽極接合,貼合せなど表面活性化接合以外の低温接合技術について説明する。

14:00~14:45

低温低圧接合技術,4種類の表面活性化と超高精度アライメントで量産へ

ボンドテック
代表取締役社長
山内 朗 氏

ボンドテックでは東京大学須賀教授の指導のもと,表面活性化による低温(常温)接合プロセスと接合装置を開発してきている。特に,従来超高真空でしか接合できなかった常温接合技術から大気中や低真空レベルで扱えウエハの大口径化にも適応する低圧化をはかる量産へ移行できうるプロセスと装置を目指している。接合装置としては6軸方向ピエゾアライメントシステムとMagicVisionによるサブミクロン台の超高精度アライメント技術を低温接合プロセスによりウエハレベルで達成する。表面活性化プロセスにおいてもSi,ガラス,化合物半導体,金属など材料により4種類の異なるプロセスを提案する。
Bondtech has developed a surface activated, low temperature (room temperature) bonding process and bonding equipment, under the guidance of Tokyo University Professor Suga. In particular, this process and equipment are aimed at switching normal temperature bonding technology which has been conventionally possible only in ultra high vacuum to mass production bonding at atmospheric and low-vacuum levels. For the bonding equipment, ultra high precision alignment technology of the sub-micron table by Piezo-6axis alignment system and Magic Vision, has been achieved in the low-temperature bonding process at the wafer-level. Even in the surface activation process, four different kinds of processes that depend on materials such as Si, glass, compound semiconductors, and metals, are proposed.

14:45~14:55

休 憩

14:55~15:40

常温接合技術と各種材料への適用可能性

三菱重工業
工作機械事業部 技術部 主席技師
井手 健介 氏

アルゴンイオンビームを用いた表面活性化接合について紹介する。
本接合方式は,(1)完全な室温下での接合であり,熱歪みを排除できる。(2)加熱・冷却プロセスが不要であり,高いスループットを持つ。(3)多岐にわたる材料に適用できる,などの特徴を持つ。本講演では本接合方式の原理,特徴をはじめ,良好な接合を行うための指針,さらにシリコン系材料(Si,SiO2),酸化物単結晶(LN),化合物半導体(GaAs,GaP)などへの適用結果について述べる。

15:40~16:25

超高真空技術による常温接合

ムサシノエンジニアリング
代表取締役社長
宮本 和夫 氏

われわれは,総合的エンジニアリング企業の基礎技術として真空技術の開発に取り組んでおり,光・熱・精密など他の極限技術との融合を追及している。常温接合に関しては超高真空技術との融合により特徴ある接合を実現できるようになった。特に実験装置の効率化や生産装置のスループット向上に貢献してきた。本講演では,国や大学の研究機関との強力なネットワークを基に開発した最新技術を紹介する。


16:25~16:30

休 憩

16:30~17:30

接合技術の未来と皆様の疑問・質問への回答

東京大学
工学系研究科 精密機械工学専攻 教授
須賀 唯知 氏

事前に受け付けた質問と会場からの質問にお答えします。本セミナーでは,事前に質問を受け付けています。今回のテーマに関係する現場の問題や日ごろ感じている疑問などに,講師が回答します。受講を申し込まれた方に,事前質問を記入するWebサイトのURLをお知らせします(すべての質問にお答えできない場合があります)。

事前申込は終了しました

※講演時刻等,随時更新いたします。
※プログラムは変更になる場合があります。あらかじめご了承願います。

■受講料のお支払:
後日,受講券・ご請求書を郵送いたします。ご入金は銀行振込でお願いいたします。なお,振込手数料はお客様のご 負担になりますので,あらかじめご了承ください。

■お申し込み後のキャンセルおよび欠席:
お申し込み後のキャンセル,ご送金後の返金はお受けいたしかねます。代理の方が出席くださいますようお願いいた します。

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