2013年6月28日に日経エレクトロニクスが主催したセミナー「NE先端テクノロジーフォーラム 次世代パワー半導体のインパクト」（協賛：インフィニオン テクノロジーズ ジャパン）から、インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 代表取締役社長の森康明氏の講演を、日経BP半導体リサーチがまとめた。今回はその第2回（第1回）。
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パワー半導体の市場は今後、ますます広がっていく。インドのような新興国では、インバータを使ってないエアコンがまだ80％もあるという。こうした市場に対しては、性能だけでなく、コスト競争力のあるパワー半導体を作っていくことが重要である。そのキーテクノロジーとなるのが、300mmウエハーの適用だ。
図5に当社初のパワー半導体用300mmウエハーを示した。オーストリア・フィラッハ工場でつい最近、製造したものである。当社は2008年に200mmウエハーによるパワー半導体の生産を始めたが、その翌年の2009年に、当社の技術者たちは次に何をすべきかというブレーン・ストーミングを始めた。2009年はちょうどリーマン・ショックの直後で、たいていの提案は却下される雰囲気の中だったが、これだけはやっておこうということで「パワー300mmプロジェクト」が始まった（図5）。
長期トレンドを見据えて300mm化
2008年に200mmファブがようやく立ち上がったばかりだったが、すぐに300mmへの移行を目指したのは、先に述べたメガトレンドに対する認識があったからだ（図6）。このままでは、すぐにキャパシティーが足りなくなる。200mmから300mmへ大口径化すれば、1枚のウエハーから取れるチップ数が増えて供給が安定し、コストも下げられる。それが市場を広げる上で重要だと我々は考えた。
その後、試験ライン（パイロット・ファブ）をフィラッハに立ち上げて研究を重ね、ほぼ1年以内に社内認定済みの300mmウエハーを作れるようになった。「CoolMOS」という名称で製品化し、数カ月後には最初の顧客から認定を得た（図7）。「CoolMOS C3」と「CoolMOS C6」と呼ぶ2種類の低耐圧品の出荷を既に開始している。
