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HOME電子デバイス半導体ストレージ2014 > ストレージ・クラス・メモリをどう活かすのか

半導体ストレージ2014

ストレージ・クラス・メモリをどう活かすのか

  • 2013/08/05 00:00
  • 1/4ページ
著者| 竹内 健 中央大学 理工学部 電気電子情報通信工学科 教授
図1 各種メモリのアクセス時間
図1 各種メモリのアクセス時間

 NANDフラッシュ・メモリの応用製品は、従来のスマートフォンやタブレット端末といった携帯端末やパソコンから、データセンターのストレージに移行する。“ビッグデータ”と呼ばれるように、人に加えて、実世界の多様な情報(Internet of Things:機器や機械の挙動、位置・移動、購買、医療・健康、気温・湿度などの情報)がネットワーク上を行き交うようになり、情報量は爆発的に増大する。現在のインターネットを用いたITサービスに欠けているのは、“時間の概念”である。インターネット上に、ありとあらゆる情報が蓄積されるようになったにもかかわらず、検索結果を時間軸で並べ替えることさえできない。

図2 不揮発性メモリの容量トレンド
[画像のクリックで拡大表示]

 今後は、さまざまなデータベースを基に、リアルタイムに情報を処理するニーズが高まる。リアルタイムのデータ処理を実現する上でボトルネックになっているのが、ストレージ(HDDやフラッシュ・メモリ)へのアクセス性能の低さである(図1)。抵抗変化型メモリ(ReRAM)や磁気メモリ(MRAM)、相変化メモリ(PRAM)、強誘電体メモリ(FeRAM)といったストレージ・クラス・メモリ(SCM)は、ストレージとDRAMの間の性能ギャップを埋める。フラッシュ・メモリやストレージ・クラス・メモリを積極的に活用することでストレージのアクセス・ボトルネックを解消し、高速でリアルタイム性に優れたビッグデータのサービスが実現すると期待される。以下では、実用化レベルにまで開発が進んできたストレージ・クラス・メモリのアプリケーションについて述べる。

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