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次世代パワー半導体 ~存在感増すSiCとGaN~

2013/06/26 16:00
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 あらゆるシステムで電力削減や環境負荷低減が求められる中、省エネの切り札として「パワー半導体」の活躍の場が増えています。中でも、現行材料のSiでは実現できない大幅な効率向上や小型化を見込める次世代材料として、SiC(炭化ケイ素)やGaN(窒化ガリウム)に大きな期待が寄せられています。ここでは2012年4月24日に発刊した日経エレクトロニクス別冊「次世代パワー半導体 ~存在感増すSiCとGaN~」から、次世代パワー半導体に関する動向解説記事をピックアップし、掲載します。

Contents

<技術者塾>
電源制御と主回路の定式化手法(2日間)
~状態平均化法によるコンバータの伝達関数の導出と制御設計の基礎について事例を基にわかりやすく解説~



これまでの電源設計の教科書にはない新しい見地から基礎理論および実践例について解説するとともに、「系の安定度」の問題点と解決手法についても解説します。今年3月に発刊した「スイッチング電源制御設計の基礎」(日経BP社刊)をベースに最新の内容を解説いたします。詳細はこちら

【日時】:2015年9月28~29日 10:00~17:00 (開場9:30)予定
【会場】:化学会館(東京・御茶ノ水)
【主催】:日経エレクトロニクス

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