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HOMEエレクトロニクス電子デバイス > 次世代パワー半導体 ~存在感増すSiCとGaN~

次世代パワー半導体 ~存在感増すSiCとGaN~

 あらゆるシステムで電力削減や環境負荷低減が求められる中、省エネの切り札として「パワー半導体」の活躍の場が増えています。中でも、現行材料のSiでは実現できない大幅な効率向上や小型化を見込める次世代材料として、SiC(炭化ケイ素)やGaN(窒化ガリウム)に大きな期待が寄せられています。ここでは2012年4月24日に発刊した日経エレクトロニクス別冊「次世代パワー半導体 ~存在感増すSiCとGaN~」から、次世代パワー半導体に関する動向解説記事をピックアップし、掲載します。

Contents

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会場 : 化学会館 7F(東京・御茶ノ水)
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