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HOMEエレクトロニクス電子デバイス > 6月開催のVLSI Symposia、米国の強さ際立つ

6月開催のVLSI Symposia、米国の強さ際立つ

  • 大下 淳一=日経BP半導体リサーチ
  • 2015/04/23 18:58
  • 1/2ページ
VLSIシンポジウム委員会 委員長を務める慶応義塾大学 教授の黒田忠広氏
VLSIシンポジウム委員会 委員長を務める慶応義塾大学 教授の黒田忠広氏
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 半導体デバイス/回路技術に関する国際会議「2015 Symposia on VLSI Technology and Circuits」が2015年6月15~19日に京都市で開催される(公式サイト)。これに合わせ、同学会プログラム委員会は同年4月20日に東京都内で記者会見を開催。投稿/採択論文の傾向などを発表した。

TechnologyはSamsung不在

 デバイス・プロセス技術を扱う「Symposium on VLSI Technology」の投稿論文数は171件で、前回京都で開催された2013年に比べて7本増えた。京都開催年は最近、Technologyの投稿論文数の減少が続いていたが、歯止めがかかった。採択論文数は68本で、採択率は40%と例年並みだった。Late Newsには8件が投稿されたが、今回は1本も採択されなかった。

 採択論文の地域別内訳を見ると、米国が24件と2013年比で9件増えて最多。次いで日本(16件)、ベルギー(10件)の順となっている。日本は2013年比で3件減少した。発表機関別では、ベルギーIMECが9件で最多。次いで米IBM社が6件、米Intel社と東京大学が4件などとなっている。今回は、これまでTechnologyの常連だった韓国Samsung Electronics社の発表が1件もない。

 プログラム委員会が選んだハイライト論文は、14nm世代SoCプラットフォーム(Intel社)、7nm世代以降に向けたCu配線(IBM社と米GLOBALFOUNDRIES社)、モバイルSoCへの適用を想定したGaN MOS-HEMT(Intel社)、28nm世代の混載ReRAM(パナソニックとIMEC)、7nm世代のモバイルSoCに向けた全体最適化(米Qualcomm社)などである。

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