SOI（silicon on insulator）基板で作る半導体をテーマにした「FD-SOI and RF-SOI Forum」が、2015年1月23日に東京で開かれた（主催はSOI Industry Consortium）。これまで限られたケースでしか使われていなかったSOIだが、一般的なSoCの次期半導体プロセスとして浮上する可能性が高くなった。
SOI基板はSiO2の絶縁層の上にSi層を形成した基板であり、その基板を使うプロセスをSOIプロセス、そのプロセスで作ったトランジスタをSOIトランジスタと呼ぶ（図1）。一方、SiO2の絶縁層がない一般的なSi基板（バルク基板）を使うプロセスをバルクプロセス、同プロセスで作ったトランジスタをバルクトランジスタと呼ぶ。
SOIトランジスタはバルクトランジスタに比べて、高性能だったり、低消費電力だったりする（図2）。最近は、SiO2絶縁層が非常に薄いSOIトランジスタが注目を集めている。SOI基板の裏側から電圧をかけることで、トランジスタの特性を制御することが容易になるからだ。今回のフォーラム名にあるFDSOIはfully depleted silicon on insulator（完全空乏型SOI）の略で（日経テクノロジーオンライン関連記事1）、Si層が非常に薄いSOIである。中でも、上述したSiO2絶縁層が非常に薄いタイプが注目を集めている。
FDSOIの実用化には伊仏合弁STMicroelectronics社が積極的で（同関連記事2）、今回のフォーラムに登壇したSTマイクロエレクトロニクスのKirk Ouellette氏によれば（図3）、2013年にはセットトップボックス向けSoCの量産に28nm FDSOIを適用した。さらに同氏は、現在、STMicroでは、28nm FDSOIを製造に使うICの開発プロジェクトが18件も進んでいることも明らかにした。このうち一部は、2015年に製品として市場に現れる見込みである。
