東芝 執行役専務 セミコンダクター＆ストレージ社 社長の成毛康雄氏は、2014年9月29日に同社が開催したセミコンダクター＆ストレージ事業説明会において、主力事業であるNANDフラッシュメモリーの技術戦略を語った（関連記事1）。

　東芝は2014年4月に15nmプロセス品の量産を開始しており、2014～2015年は同製品に軸足を置く。2014年9月初旬には、15nmプロセス品向けの製造設備を導入する四日市工場 第5製造棟第2期分のクリーンルームを竣工した（関連記事2）。

　15nmプロセス品の次は、微細化は断念し、メモリーセルを3次元積層する「BiCS（Bit Cost Scalable）」へ移行する。BiCSの量産開始は「2016年初頭を予定している」（成毛氏）。

　この量産時期は、既に3次元NANDの量産を開始している韓国Samsung Electronics社に比べて大幅に後れる形となる（関連記事3）。その理由を成毛氏は「15nmプロセス品よりもビットコストが下がることがBiCSを量産するための最低条件だ。メモリーセルの積層数を増やすことに加え、エッチング装置やCVD装置のスループットを格段に高める必要がある」と説明した。メモリーセルの積層数は30段を大きく上回る水準を狙っていることを示唆。装置のスループットについては「複数の大手装置メーカーと（プロセス技術の）共同開発を進めており、現状の2倍といった水準に高めたい。その実現に今後1年はかかる」とした。