• BPnet
  • ビジネス
  • IT
  • テクノロジー
  • 医療
  • 建設・不動産
  • TRENDY
  • WOMAN
  • ショッピング
  • 転職
  • ナショジオ
  • 日経電子版

HOMEエレクトロニクス電子デバイス > Intelが14nm世代製造技術の詳細を公表、第1弾製品の「Core M」は電力効率が前世代比2倍に

Intelが14nm世代製造技術の詳細を公表、第1弾製品の「Core M」は電力効率が前世代比2倍に

  • 竹居 智久=日経エレクトロニクス
  • 2014/08/12 16:43
  • 1/1ページ
 米Intel社は2014年8月11日(米国時間)に、14nm世代の製造技術の詳細と、同技術で製造する最初の製品である「Core M」のマイクロアーキテクチャーを公表した。14nm世代の製造技術は、Intel社が22nm世代の技術で導入したFinFET「トライゲートトランジスタ」の第2世代版を利用するもので、製造技術の世代ごとに進めてきた性能向上や製造コスト削減のペースを維持できたとする。
【技術者塾】
「1日でマスター、実践的アナログ回路設計」(2016年8月30日(木))


コツを理解すれば、アナログ回路設計は決して難しくはありません。本講義ではオペアンプ回路設計の基本からはじめて、受動部品とアナログスイッチや基準電圧などの周辺回路部品について学びます。アナログ回路設計(使いこなし技術)のコツや勘所を実践的に、かつ分かりやすく解説いたします。。詳細は、こちら
日時:2016年8月30日(火)10:00~17:00
会場:エッサム神田ホール(東京・神田)
主催:日経エレクトロニクス

おすすめ ↓スクロールすると、関連記事が読めます↓