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HOMEエレクトロニクス電子デバイス > 立命館大やMITなど、GaNをグラフェン/Si(100)上に成長させる技術を開発

立命館大やMITなど、GaNをグラフェン/Si(100)上に成長させる技術を開発

  • 野澤 哲生=日経エレクトロニクス
  • 2014/07/28 14:23
  • 1/1ページ
 スペインGraphenea社は2014年7月25日、立命館大学などと共同で、Si(100)面上にGaN結晶を成長させることに成功したと発表した。
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