• BPnet
  • ビジネス
  • IT
  • テクノロジー
  • 医療
  • 建設・不動産
  • TRENDY
  • WOMAN
  • ショッピング
  • 転職
  • ナショジオ
  • 日経電子版

HOMEエレクトロニクスアナログ > STMicro、コレクタ-エミッタ間飽和電圧を2.1Vに削減した1200V耐圧のIGBTを発売

STMicro、コレクタ-エミッタ間飽和電圧を2.1Vに削減した1200V耐圧のIGBTを発売

  • 山下 勝己=テクニカル・ライター
  • 2014/06/17 16:54
  • 1/1ページ
 伊仏合弁STMicroelectronics社は、コレクタ-エミッタ間飽和電圧(VCE(sat))を2.1V(+25℃における標準値)に削減した1200V耐圧のIGBT「Hシリーズ」を発売した。タンーオフ時のスイッチング損失は、同社従来品比で最大15%減の1.81mJ(標準値)。ターンオン時は同社従来品で最大30%減の2.46mJ(標準値)である。このため、電源回路に適用すれば、電力損失を削減できる。主な用途としては、太陽光発電向けインバーター装置や、溶接機、無停電電源装置(UPS)、力率改善(PFC)用コンバーターなどを挙げている。
【技術者塾】(10/24開催)
不具合の未然防止に役立つ 組み込みソフトのモデリング

ソフトウエア技術者の設計力向上の勘所


ソフトウエア設計図(モデル)の具体例を紹介しながら基礎を解説します。「静的構造図」や「動的構造図」などを演習を通して作成。ソフトウエア技術者の設計力を高め、もっと速く楽に開発することを目指します。 詳細は、こちら
日程 : 2016年10月24日
会場 : Learning Square新橋
主催 : 日経エレクトロニクス

おすすめ