アナログ エレクトロニクスを支える基盤技術
 

STMicro、コレクタ-エミッタ間飽和電圧を2.1Vに削減した1200V耐圧のIGBTを発売

山下 勝己=テクニカル・ライター
2014/06/17 16:54
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 伊仏合弁STMicroelectronics社は、コレクタ-エミッタ間飽和電圧(VCE(sat))を2.1V(+25℃における標準値)に削減した1200V耐圧のIGBT「Hシリーズ」を発売した。タンーオフ時のスイッチング損失は、同社従来品比で最大15%減の1.81mJ(標準値)。ターンオン時は同社従来品で最大30%減の2.46mJ(標準値)である。このため、電源回路に適用すれば、電力損失を削減できる。主な用途としては、太陽光発電向けインバーター装置や、溶接機、無停電電源装置(UPS)、力率改善(PFC)用コンバーターなどを挙げている。

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