半導体製造 プロセス技術や工場の動向を知るための
 

なぜSamsungとタッグを組んだのか、GLOBALFOUNDRIESが説明

大下 淳一=日経BP半導体リサーチ
2014/04/23 07:00
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登壇したSubramani Kengeri氏
登壇したSubramani Kengeri氏
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Samsung社と提携
Samsung社と提携
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マルチファブ体制を構築
マルチファブ体制を構築
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20nmプレーナ技術との性能比較
20nmプレーナ技術との性能比較
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チップ面積で優位と主張
チップ面積で優位と主張
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2種類のプロセス技術を提供
2種類のプロセス技術を提供
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 半導体ファウンドリー大手の米GLOBALFOUNDRIES社は2014年4月22日に東京都内で事業説明会を開催、同社 Vice President Technology Architecture, Office of the CTOのSubramani Kengeri氏が登壇した。

 GLOBALFOUNDRIES社は2014年4月17日に、韓国Samsung Electronics社との提携を発表した(関連記事1)。Samsung社が14nm FinFET技術をGLOBALFOUNDRIES社にライセンス供与し、同技術でのウエハー処理を、Samsungの韓国Hwaseong(華城)と米テキサス州Austinの工場、およびGLOBALFOUNDRIES社のニューヨーク州Saratogaの工場で可能にするという内容である。今回の説明会ではこの提携の背景について説明した。

 Kengeri氏によれば、14nm FinFET技術は長期間にわたって使われる技術ノードになる見通しという。そしてこの技術ノードでは「顧客が(複数の工場に生産を分散する)マルチソースを重視する傾向がある」という。そこで、2社の工場で同一の製品を量産できる体制を構築した。加えて、2社のPDK(process design kit)を共通化することで、顧客のLSI設計コストを低減できるようにしたと説明した。

 2社が提供する14nm FinFET技術は、他のファウンドリー企業の技術に比べてチップ面積で優位だとGLOBALFOUNDRIES社は主張する。他のファウンドリー企業の14nm FinFET技術はチップ面積が20nmプレーナ技術と同等であるのに対し、2社の14nm FinFET技術では最大15%のチップ面積削減が見込めるという。GLOBALFOUNDRIES社はかねて「14XM」と呼ぶ14nm FinFET技術を独自に開発してきたが、この開発は中止し、Samsung社から供与を受けるプロセス技術に一本化する(関連記事2)。

 2社は14nm FinFET技術について、「14LPE」とその高速版の「14LPP」という2種類のプロセス技術を提供する。このうち14LPEでは、20nmプレーナ技術に比べて動作速度が20%向上し、消費電力は35%低減するという。2種類のプロセス技術はいずれもPDKの提供を開始済み。14LPEについては2014年2月に認定作業を完了しており、同年10~12月期に少量量産を始める。本格量産は2015年初頭を予定している。既に顧客企業が14LPEを用いたチップ設計に着手しているという。

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