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HOMEエレクトロニクスアナログ > TI、オン抵抗を低減したTO-220封止の80V/100V耐圧パワーMOSFETを発売

TI、オン抵抗を低減したTO-220封止の80V/100V耐圧パワーMOSFETを発売

  • 山下 勝己=テクニカル・ライター
  • 2014/03/25 23:44
  • 1/1ページ
 米Texas Instruments(TI)社は、3端子TO-220パッケージに封止した80V耐圧と100V耐圧のnチャネル型パワーMOSFETを発売した。80V耐圧品の型番は「CSD19506」、100V耐圧品は「CSD19536」である。いずれも同社のパワーMOSFET製品ポートフォリオである「NexFET」に含まれる。特徴は2製品とも、オン抵抗が低いことである。CSD19506は、ゲート-ソース間電圧が+10Vのときに2.0mΩ(標準値)。CSD19536はゲート-ソース間電圧が+10Vのときに2.3mΩ(標準値)である。同社によると、「同様の製品の中では、業界で最もオン抵抗が低い」と主張する。スイッチング電源の2次側同期整流器やモーター制御機器などに向ける。
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