• BPnet
  • ビジネス
  • PC
  • IT
  • テクノロジー
  • 医療
  • 建設・不動産
  • TRENDY
  • WOMAN
  • ショッピング
  • 転職
  • ナショジオ
  • 日経電子版

HOMEエレクトロニクス電子デバイス > 東芝、1Znm世代のNANDフラッシュメモリーを2014年初夏にサンプル出荷へ

東芝、1Znm世代のNANDフラッシュメモリーを2014年初夏にサンプル出荷へ

  • 木村 雅秀=日経BP半導体リサーチ
  • 2014/02/17 17:29
  • 1/1ページ
 東芝は、現在量産している19nm第2世代の次の技術世代に当たる1Znm世代のNANDフラッシュメモリーを2014年初夏にサンプル出荷する。量産は2014年度後半(2014年10月以降)を予定する。四日市工場の第5製造棟(第1期)の既存設備を1Znm世代に対応させるため、400億円の設備投資を行う。東芝はセミコンダクター&ストレージ部門における2013年度通期の設備投資として1700億円を計画しているが、この一部を今回の微細化投資に充てる。
【技術者塾】(5/26開催)
シミュレーション要らずの熱設計・熱対策

~熱を電気回路に見立てて解析、演習で応用力アップ~


本講演を受講すると、シミュレーションに頼らない実践的な熱対策・熱設計ができるようになります。演習を通して実際に熱を解析し、熱設計への理解を深められます。現場で応用できる熱解析ツールを自分で作成できるようになります。 詳細は、こちら
日程 : 2016年5月26日
会場 : 化学会館 7F(東京・御茶ノ水)
主催 : 日経エレクトロニクス

おすすめ