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東芝、1Znm世代のNANDフラッシュメモリーを2014年初夏にサンプル出荷へ

  • 木村 雅秀=日経BP半導体リサーチ
  • 2014/02/17 17:29
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 東芝は、現在量産している19nm第2世代の次の技術世代に当たる1Znm世代のNANDフラッシュメモリーを2014年初夏にサンプル出荷する。量産は2014年度後半(2014年10月以降)を予定する。四日市工場の第5製造棟(第1期)の既存設備を1Znm世代に対応させるため、400億円の設備投資を行う。東芝はセミコンダクター&ストレージ部門における2013年度通期の設備投資として1700億円を計画しているが、この一部を今回の微細化投資に充てる。

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