米Fairchild Semiconductor社は、コレクタ・エミッタ間の飽和電圧（VCE（Sat））を＋1.8V（標準値）に低減した＋1200V耐圧の絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ（IGBT）を発売した。フィールド・ストップ層を形成したトレンチ型のIGBTである。ノン・パンチ・スルー（NPT）構造を採用する。特徴は、「スイッチング速度が高いにもかかわらず、飽和電圧が低いこと。高速動作の＋1200V耐圧品の中では、飽和電圧が業界で最も低い」（同社）という。太陽光発電システム向けインバータ装置や、無停電電源装置（UPS）、溶接機などに向ける。
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