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SiCダイオード、基板の薄型化によるオン抵抗の低減がトレンドに

  • 根津 禎=日経エレクトロニクス
  • 2013/11/14 20:15
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 SiCダイオードの基板を薄くしてオン抵抗を小さくする研究開発が活発化している。中でも、耐圧1.2kV以下の低~中耐圧品で盛んだ。低耐圧品ほど基板上に積層するドリフト層が薄いので、SiCダイオードのオン抵抗のうち、基板の抵抗成分が占める割合が大きくならからである。

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