九州大学と半導体センサ開発のアイアールスペックは、化合物基板とSi基板など異種基板をアレイ状バンプで高信頼に常温接合する技術を開発した。InGaAsフォトダイオードで作製した256×320画素の裏面照射型の近赤外イメージ・センサ基板と、Si製の信号処理回路基板を各画素に設けたバンプで接合させる。超音波で加振して常温接合を実現している。高温処理が不要なため、熱膨張率の違いによるずれや応力が生じない。
この記事は会員登録で続きをご覧いただけます
-
会員の方はこちら
ログイン -
登録するとマイページが使えます
今すぐ会員登録(無料)
日経クロステック登録会員になると…
・新着が分かるメールマガジンが届く
・キーワード登録、連載フォローが便利
さらに、有料会員に申し込むとすべての記事が読み放題に!
春割キャンペーン実施中!
>>詳しくは
日経クロステックからのお薦め
日経BP 総合研究所がお話を承ります。ESG/SDGs対応から調査、情報開示まで、お気軽にお問い合わせください。
ブランド強化、認知度向上、エンゲージメント強化、社内啓蒙、新規事業創出…。各種の戦略・施策立案をご支援します。詳細は下のリンクから。
「デジタル&ソリューション」をキーワードに、多様な事業を展開しています。
日経BPは、デジタル部門や編集職、営業職・販売職でキャリア採用を実施しています。デジタル部門では、データ活用、Webシステムの開発・運用、決済システムのエンジニアを募集中。詳細は下のリンクからご覧下さい。