• BPnet
  • ビジネス
  • PC
  • IT
  • テクノロジー
  • 医療
  • 建設・不動産
  • TRENDY
  • WOMAN
  • ショッピング
  • 転職
  • ナショジオ
  • 日経電子版

HOMEエレクトロニクス電子デバイス > RFMDがGaN RFパワー・トランジスタの生産を全量6インチSiCウエハー・ベースへ

RFMDがGaN RFパワー・トランジスタの生産を全量6インチSiCウエハー・ベースへ

  • 小島 郁太郎=Tech-On!編集
  • 2013/09/20 17:56
  • 1/1ページ
米RF Micro Devices社は、GaNのRFパワー・トランジスタの量産を全量6インチのSiCウエハーで行うと発表した。同社によれば、6インチのSiCウエハーでGaNのRFパワー・トランジスタを作るのは、世界初だという。
【技術者塾】
「決定版! アナログ回路技術者に必須のオペアンプを完全理解」(2016年6月23日(木))


オペアンプを基礎から十分に理解できていなければ、アナログ回路を設計したり応用したりすることはできません。本講座では、オペアンプの役割から詳細設計、実際に使用されているオペアンプの応用までを1日でマスターします。詳細は、こちら
日時:2016年6月23日(木)10:00~17:00
会場:化学会館(東京・御茶ノ水)
主催:日経エレクトロニクス

おすすめ