東芝は2013年9月11日、セミコンダクター＆ストレージ社の事業説明会を東京都内の本社で開催し、東芝 執行役上席常務でセミコンダクター＆ストレージ社社長の成毛康雄氏が登壇した。半導体事業が巨額赤字に陥った2008年度に比べて、足元では「メモリは復活したが、ディスクリート半導体とシステムLSIは道半ば」（成毛氏）という。今後、稼ぎ頭のNANDフラッシュ・メモリ事業の優位性を保つことに加えて、伸び悩んできたディスクリート半導体やシステムLSIでも「売り上げの拡大に全力を投じる」（同氏）。同社は2012～2015年度の半導体市場の年平均成長率を3.6％と予測しており、これをしのぐ年平均成長率6.8％のペースで半導体売上高を拡大させる計画だ。
セミコンダクター＆ストレージ社が手掛ける分野は「メモリ」「ストレージ」「ディスクリート」「システムLSI」に大別される。このうちシステムLSIは最近、「ミックスドシグナルIC」と「ロジックLSI」の二つに事業部を分けた。加えて、従来はシステムLSI事業部が担当していたCMOSイメージ・センサをメモリ事業部に組み込んだという。
メモリ事業の主力はNANDフラッシュ・メモリである。ここでは「微細化限界を乗り越えて3次元メモリでもリードし、優位性を絶対にキープする」（成毛氏）との覚悟を示した。当面は3ビット/セル（TLC）比率の拡大や、現行の19nm第2世代（1Ynm世代）に続く1Znm世代への微細化により、ビット・コストを低減する。その後はメモリ・セルを3次元方向に多段積層する3次元メモリ「BiCS」へ移行し、コスト低減を維持するとした。
このうち、1Znm世代品は2014年度に出荷する。BiCSは第1世代品のサンプル出荷を2013年度末に始め、2014年度にサンプル品を市場に浸透させたうえで、2015年度をメドに量産する計画だ。BiCSにおけるメモリ・セルの積層数は30層以上を想定している。
ストレージ事業では、従来の主力だったパソコン向けのHDD（クライアントHDD）から、サーバー機などに向けるエンタープライズHDDやSSDへ重心を移す。大容量ストレージとして使うSSDやHDDに加え、プロセサ/DRAMと大容量ストレージの間を埋めるキャッシュ用途のSSDにも力を入れるという。これらのエンタープライズ用途では、PCI Expressインタフェースを備える高速のSSDを市場投入する考えである。ストレージ事業におけるエンタープライズHDDおよびSSDの売上高比率は、2012年度には25％だったが、2015年度には50％まで高めるとしている。
ディスクリート事業では、白色LEDとパワー・デバイスに注力する。このうち、白色LEDでは一般的に用いられるサファイア基板ではなくSi基板を使う低コスト品を強みに「出遅れを急速に巻き返す」（成毛氏）考え。発光特性はサファイア基板品と同等の水準にまでなったという。パワー・デバイスについては、現行のSi系パワーMOSFETの特性改善を進めるとともに、GaN on Si技術をベースとするGaNデバイスや、SiCデバイスの事業を立ち上げていく。ディスクリート事業における白色LEDおよびパワー・デバイスの売上高比率は、2012年度には50％だったが、2015年度には70％まで高める。
ミックスドシグナルIC事業では、画像処理LSIやディスクリート半導体との融合製品などを主力として、車載・産業用途を開拓する。同事業における車載・産業用途の売上高比率を、2012年度の30％から2015年度には50％まで高める考えだ。ロジックLSI事業では「製品分野を絞って利益を上げていく」（成毛氏）という方針のもと、アプリケーション・プロセサ周りで使うLSIに重心を移す。具体的には、アプリケーション・プロセサの機能を補完するコンパニオンLSI「ApP Plus（Application Processor Plus）」や各種センサとのインタフェースを担うフロントエンドLSI「ApP Lite（Application Processor Lite）」、ASICとFPGAの中間的な機能を提供するストラクチャード・アレイ/ゲートアレイ「FFSA（Fit Fast Structured Arrays）」などである。ロジックLSI事業におけるこれら3製品の売上高比率は、2012年度にはほぼゼロだったが、2015年度には一挙に70％まで高める。
