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「メモリは復活、ディスクリートとシステムLSIは道半ば」、東芝が半導体/ストレージ事業の説明会

大下 淳一=日経BP半導体リサーチ
2013/09/12 06:00
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東芝四日市工場の第5製造棟の完成イメージ
東芝四日市工場の第5製造棟の完成イメージ
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 東芝は2013年9月11日、セミコンダクター&ストレージ社の事業説明会を東京都内の本社で開催し、東芝 執行役上席常務でセミコンダクター&ストレージ社社長の成毛康雄氏が登壇した。半導体事業が巨額赤字に陥った2008年度に比べて、足元では「メモリは復活したが、ディスクリート半導体とシステムLSIは道半ば」(成毛氏)という。今後、稼ぎ頭のNANDフラッシュ・メモリ事業の優位性を保つことに加えて、伸び悩んできたディスクリート半導体やシステムLSIでも「売り上げの拡大に全力を投じる」(同氏)。同社は2012~2015年度の半導体市場の年平均成長率を3.6%と予測しており、これをしのぐ年平均成長率6.8%のペースで半導体売上高を拡大させる計画だ。

 セミコンダクター&ストレージ社が手掛ける分野は「メモリ」「ストレージ」「ディスクリート」「システムLSI」に大別される。このうちシステムLSIは最近、「ミックスドシグナルIC」と「ロジックLSI」の二つに事業部を分けた。加えて、従来はシステムLSI事業部が担当していたCMOSイメージ・センサをメモリ事業部に組み込んだという。

 メモリ事業の主力はNANDフラッシュ・メモリである。ここでは「微細化限界を乗り越えて3次元メモリでもリードし、優位性を絶対にキープする」(成毛氏)との覚悟を示した。当面は3ビット/セル(TLC)比率の拡大や、現行の19nm第2世代(1Ynm世代)に続く1Znm世代への微細化により、ビット・コストを低減する。その後はメモリ・セルを3次元方向に多段積層する3次元メモリ「BiCS」へ移行し、コスト低減を維持するとした。

 このうち、1Znm世代品は2014年度に出荷する。BiCSは第1世代品のサンプル出荷を2013年度末に始め、2014年度にサンプル品を市場に浸透させたうえで、2015年度をメドに量産する計画だ。BiCSにおけるメモリ・セルの積層数は30層以上を想定している。

 ストレージ事業では、従来の主力だったパソコン向けのHDD(クライアントHDD)から、サーバー機などに向けるエンタープライズHDDやSSDへ重心を移す。大容量ストレージとして使うSSDやHDDに加え、プロセサ/DRAMと大容量ストレージの間を埋めるキャッシュ用途のSSDにも力を入れるという。これらのエンタープライズ用途では、PCI Expressインタフェースを備える高速のSSDを市場投入する考えである。ストレージ事業におけるエンタープライズHDDおよびSSDの売上高比率は、2012年度には25%だったが、2015年度には50%まで高めるとしている。

 ディスクリート事業では、白色LEDとパワー・デバイスに注力する。このうち、白色LEDでは一般的に用いられるサファイア基板ではなくSi基板を使う低コスト品を強みに「出遅れを急速に巻き返す」(成毛氏)考え。発光特性はサファイア基板品と同等の水準にまでなったという。パワー・デバイスについては、現行のSi系パワーMOSFETの特性改善を進めるとともに、GaN on Si技術をベースとするGaNデバイスや、SiCデバイスの事業を立ち上げていく。ディスクリート事業における白色LEDおよびパワー・デバイスの売上高比率は、2012年度には50%だったが、2015年度には70%まで高める。

 ミックスドシグナルIC事業では、画像処理LSIやディスクリート半導体との融合製品などを主力として、車載・産業用途を開拓する。同事業における車載・産業用途の売上高比率を、2012年度の30%から2015年度には50%まで高める考えだ。ロジックLSI事業では「製品分野を絞って利益を上げていく」(成毛氏)という方針のもと、アプリケーション・プロセサ周りで使うLSIに重心を移す。具体的には、アプリケーション・プロセサの機能を補完するコンパニオンLSI「ApP Plus(Application Processor Plus)」や各種センサとのインタフェースを担うフロントエンドLSI「ApP Lite(Application Processor Lite)」、ASICとFPGAの中間的な機能を提供するストラクチャード・アレイ/ゲートアレイ「FFSA(Fit Fast Structured Arrays)」などである。ロジックLSI事業におけるこれら3製品の売上高比率は、2012年度にはほぼゼロだったが、2015年度には一挙に70%まで高める。

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