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HOMEエレクトロニクス電子デバイス > Samsungが業界初の3次元NANDフラッシュ・メモリの量産を開始

Samsungが業界初の3次元NANDフラッシュ・メモリの量産を開始

  • 木村 雅秀=日経BP半導体リサーチ
  • 2013/08/06 21:36
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 韓国Samsung Electronics社は2013年8月6日、業界初となる3次元セル構造のNANDフラッシュ・メモリ「Vertical NAND(V-NAND)」の量産を始めたと発表した(リリース)。民生機器や産業機器の組み込みNANDストレージ、およびSSDに向ける。

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