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SiCやGaNの実装技術を開発するコンソーシアムに18の組織が参加

木村 雅秀=日経BP半導体リサーチ
2013/07/24 19:59
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コンソーシアムの発起人兼代表者である大阪大学 教授の菅沼克昭氏。
コンソーシアムの発起人兼代表者である大阪大学 教授の菅沼克昭氏。
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企業や大学など18の組織が参加
企業や大学など18の組織が参加
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 SiCやGaNといった次世代パワー半導体の実装技術を開発する「新世代パワー半導体実装技術開発コンソーシアム」に、大阪大学や三菱電機、ロームなど、合計18の組織が参加することが決まった。同コンソーシアムの発起人兼代表者である大阪大学 教授の菅沼克昭氏が2013年7月23日に記者会見で発表した。

 同コンソーシアムは2013年5月末に発足。2013年7月23日時点の参加メンバーは、上村工業、エスペック、三社電機製作所、ドイツSiemens社、シャープ、新日鉄住金化学、住友電気工業、千住金属工業、昭和電工、デンソー、日亜化学工業、日本触媒、一般財団法人の日本電子部品信頼性センター、パナソニック、古河電気工業、三菱電機、ローム、大阪大学。

 SiCやGaNの実装(パッケージング)では、300℃の熱衝撃に耐えられる高信頼のPbフリー・ダイアタッチ技術や、高周波の伝送損失を抑えられる新しい配線技術が必要とされる。この分野で、大阪大学の菅沼氏らは優れた接合技術や配線技術を開発してきた。今回のコンソーシアムでは、菅沼氏らが開発した技術の産業応用を進めるほか、信頼性の評価手法や評価基準を標準化していくことを目指す。また、極限環境における材料の劣化メカニズムを解明するとともに、新たな実装材料やパッケージング構造の設計指針を確立する。

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