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HOMEエレクトロニクス電子デバイス > UMCとSuVolta、28nmプロセス技術を共同開発

UMCとSuVolta、28nmプロセス技術を共同開発

  • 大下 淳一=日経BP半導体リサーチ
  • 2013/07/24 16:32
  • 1/1ページ
 台湾UMC(United Microelectronics Corp.)と米SuVolta社は2013年7月23日、28nm世代のCMOSプロセス技術を共同開発すると発表した。「Deeply Depleted Channel(DDC)」と呼ぶSuVolta社独自のプロセス技術を、28nm世代の高誘電率(high-k)ゲート絶縁膜/メタル・ゲート(HKMG)に基づくUMCのHPM(high performance mobile)プロセス技術に組み込む。これにより、リーク電力の削減やSRAMの低電圧動作の改善が見込めるという。
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