東芝は2013年7月2日、NANDフラッシュ・メモリの前工程拠点である四日市工場において、第5製造棟（Fab5）の第2期分（Phase2）のクリーン・ルームを2013年8月末に着工すると発表した（リリース）。これにより、NANDフラッシュ・メモリの「次世代プロセス品や3次元構造品（3Dメモリ）の生産スペースを確保する」（東芝）。竣工は2014年夏の予定。装置導入時期や生産スケジュール、生産能力などについては「市場動向を踏まえて決定していく」（同社）とする。
東芝はFab5では当初から、クリーン・ルームを2期に分けて稼働させる計画を公表していた（関連記事）。「市場動向を見極めつつ、その時々に最適な生産能力を確保する」（東芝）ためだ。Fab5の第1期分のクリーン・ルームを稼動させたのは2011年7月。この時点では第2期分の着工を2013年度に、稼働を2013年度末～2014年度にそれぞれ予定しており、ほぼ予定通りに着工・稼働させることになる。
今回、第2期分の着工を決定した理由について同社は、（1）スマートフォンやタブレット端末、エンタープライズ・サーバー向けSSDなどを中心に需要が増加傾向にあること、（2）中長期的にも市場拡大が見込まれること、の2点を挙げている。旺盛な需要に応えるために、「3Dメモリの生産スペースを確保するとともに、最先端の微細化技術を継続して開発・適用することでさらなる事業競争力強化を図る」（東芝）という。
Fab5は、高効率の自動搬送システムや地震時の揺れを吸収する免震構造を採用している。LED照明を全面展開するとともに、省エネ型の製造設備の導入や工場廃熱の利用などの取り組みを通じて、CO2排出量を第4製造棟（Fab4）に比べて13％低減している。
東芝と四日市工場を共同で運営している米SanDisk社も同日（米国時間7月1日）、同じ趣旨のニュース・リリースを発表した（リリース）。同リリースでは、第2期分の生産品目を「次世代の2次元NAND（next generation 2D NAND technologies）および初期世代の3次元NAND（early generations of 3D NAND technology）」と説明している。
