台湾TSMC(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.) Vice President, Research & DevelopmentのBurn J. Lin氏に、同社のリソグラフィ技術ロードマップを聞いた。EUV(extreme ultraviolet)露光技術の開発が業界全体で遅れていることを受けて、同社は40nm世代で導入したArF液浸露光技術を、28nm世代、20nm世代、16nm世代、10nm世代の計5世代に渡って利用する方向である。
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