2013年6月15日に京都市で開催された「FD-SOI Workshop in Japan」（主催：SOI Industry Consortium）では、ファウンドリー大手の米GLOBALFOUNDRIES社が講演し、完全空乏型SOI （FDSOI）トランジスタ技術への取り組みを語った（関連記事）。同社は、28nm世代FDSOI技術の量産化を宣言した伊仏STMicroelectronics （ST）社から同技術のライセンスを受ける最初の大手ファウンドリーである。登壇者は、グローバルファウンドリーズ・ジャパン 代表取締役の島内秀氏。
GLOBALFOUNDRIES社は、バルクCMOSトランジスタの後継技術として立体トランジスタ（FinFET）とFDSOIの開発を並行して進めている。FinFETの難点としては、トランジスタの寄生容量が増えたり、製造技術の難度が増したりすることがあるという。対して、FDSOIは薄いSiチャネルの膜厚制御こそ難しいものの、「バルクCMOSトランジスタで得た知見を製造技術に生かしやすい」（島内氏）。ただし動作速度ではFinFETが有利とみて、「FinFETは高性能なアプリケーション、FDSOIは低電力のアプリケーションに適する」（同氏）とした。
FDSOIは製造コストでも有利だと同社はみる。28nm世代のSiONゲート/多結晶Si技術をHKMG（high-kゲート絶縁膜/メタル・ゲート）技術に置き換えた場合、動作速度が30％高まる代わりに、製造コストも30％上がってしまうという。対して、HKMG技術の代わりにFDSOI技術を採り入れた場合は、動作速度を30％高めつつ、製造コストの増分は10％に抑えられるとした。露光マスク枚数が少なくて済むことなどによる。
一般に、FDSOIは基板コストが高いことが問題視されるが、露光マスク枚数を減らしやすいことなどから、「基板コストは相殺できる可能性が高い」と島内氏は話す。FDSOIでは基板バイアス制御を加えるためにチップ面積が最大3％ほど増える見通しとするが、このコストもトランジスタ密度の向上や（放熱性が高まることによる）パッケージ・コストの低下で吸収できる見込みとした。
