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HOMEエレクトロニクス電子デバイス > NICTらが酸化ガリウムでMOSFETを開発、リーク電流が測定限界以下に

NICTらが酸化ガリウムでMOSFETを開発、リーク電流が測定限界以下に

  • 野澤 哲生=日経エレクトロニクス
  • 2013/06/19 16:11
  • 1/1ページ
 情報通信研究機構(NICT)、タムラ製作所、および光波は2013年6月19日、酸化ガリウム(Ga2O3)を用いたMOSFET(metal oxide semiconductor field effect transistor)を世界で初めて開発したと発表した。
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