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HOMEエレクトロニクス電子デバイス > 【IITC】ルネサス、20nm世代以降のMRAM混載プロセスに対応したlow-k膜技術を開発

【IITC】ルネサス、20nm世代以降のMRAM混載プロセスに対応したlow-k膜技術を開発

  • 木村 雅秀=日経BP半導体リサーチ
  • 2013/06/13 09:00
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