ルネサス エレクトロニクスは、米IBM社を中心とするSemiconductor Research Allianceと共同で、20nm世代以降のMRAM混載プロセスに対応した低誘電率(low-k)膜技術を開発した。詳細をLSI配線技術に関する国際会議「IEEE International Interconnect Technology Conference(IITC)2013」(2013年6月13~15日、京都市)で発表する(講演番号10-2)。講演タイトルは「UV Cure Impact on Robust Low-K with Sub-nm Pores and High Carbon Content for High Performance Cu/Low-K BEOL Modules」。
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