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HOMEエレクトロニクス電子デバイス > 富士通研、GaN-HEMTを用いた高出力で小型のミリ波帯送受信モジュールを開発

富士通研、GaN-HEMTを用いた高出力で小型のミリ波帯送受信モジュールを開発

  • 赤坂 麻実=Tech-On!
  • 2013/06/05 14:14
  • 1/1ページ
 富士通研究所は、窒化ガリウム(GaN)を使った高電子移動度トランジスタ(HEMT)を用いて、ミリ波帯まで適用可能な、10W出力の送受信モジュール技術を開発した。発熱を効率よく逃がすヒートシンクを多層セラミックス基板の送受信モジュール内に設けるなどの工夫で、単一のパッケージで高出力な送受信機能を実現したとする。
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