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Samsungが45nmのフラッシュ混載ロジック・プロセスを開発、サンプル出荷は2014年下期

  • 大原雄介=フリーランス テクニカルライター
  • 2013/05/20 19:38
  • 1/1ページ
韓国Samsung Electronics社は、45nmのフラッシュ・メモリ混載ロジック・プロセスを開発した。45nmのフラッシュ・メモリ混載ロジック・プロセスの開発は、「業界初」(同社)だという。
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