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3次元LSIや新材料技術が相次ぐ「IITC」、基調講演はTSMCのウエハーレベル技術

木村 雅秀=日経BP半導体リサーチ
2013/05/09 21:07
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IITCのロゴには長年IBM社のCu配線の写真が使われている
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 LSI配線技術に関する国際会議「IEEE International Interconnect Technology Conference(IITC)2013」が2013年6月13~15日に京都リサーチパーク(京都市)で開催される(IITC公式サイト)。IITCは今回で16回目を迎え、日本で開催されるのは4年ぶり2回目となる。

 IITCでは通常のLSI多層配線技術に加え、3次元LSIやメモリ、MEMS、有機デバイス向けの幅広い配線技術を対象としている。配線分野としては参加国、参加者、論文数のいずれも「世界最大規模」(IITC委員)であり、今年は200人以上が参加する見込みとする。なお、2012年の参加者数は232人だった。

 基調講演では、台湾TSMC(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.)のR&D, Integrated Interconnect and Package Division, Senior DirectorであるDouglas Chen-Hua Yu氏が「Innovative Wafer-based Interconnect Enabling System Integration and Semiconductor Paradigm Shifts」と題して発表する。チップレベルからシステムレベル・スケーリングへのパラダイム・シフトを実現するためには、革新的なウエハーレベル技術を用いた最先端パッケージの進化が重要であると訴える。具体的には、ウエハーレベル・パッケージ、TSV(Si貫通ビア)を用いた3次元LSIやインターポーザ、超薄型PoP(package on package)技術の現状と今後について述べる。

 論文数は、基調講演を含む一般講演が41件、ポスター発表が17件である。発表論文全体の傾向としては、「More Moore」の領域では、ハーフピッチ40nm~12nm対応の配線技術について米IBM社、米Intel社、ベルギーIMECなどが発表する予定で、「微細化技術の着実な前進が見られる」(IITC委員)という。またCPI(chip package interaction)等のパッケージ関連技術は基調講演を含め、8件と例年以上に多く、「配線とパッケージの境界領域における技術開発が加速している」(同委員)とする。

 一方、「More Than Moore」の領域では3次元LSI関連技術の発表が全体の約1/4を占め、ここ数年の傾向通り注目度は高い。また、新材料およびプロセスに関する発表は10件あり、カーボン・ナノチューブやグラフェンといったカーボン系材料のデバイスへの応用はもちろん、「有機光電膜や導電性高分子鎖などの新規材料の配線技術への応用も注目できる」(同委員)とする。

注目論文は8件

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