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Infineon、ミリ波帯に向けたSiGeトランシーバICを発売、1Gビット/秒を超えるバックホール接続向け

  • 山下 勝己=テクニカル・ライター
  • 2013/04/17 21:12
  • 1/1ページ
 独Infineon Technologies社は、ミリ波帯に向けたSiGe(シリコン・ゲルマニウム)トランシーバIC「BGTx0」を開発し、2013年9月にサンプル出荷を始めると発表した。量産は2013年末に開始する予定だ。LTEや4G(第4世代)に対応した無線基地局と、コア・ネットワークを接続するバックホールに向ける。データ伝送速度は1Gビット/秒を超えるとする。
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