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GLOBALFOUNDRIES、TSVで接続した20nm世代SRAMの動作を実証

  • 大下 淳一=日経BP半導体リサーチ
  • 2013/04/03 20:24
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 米GLOBALFOUNDRIES社は、TSV(Si貫通ビア)で接続した20nm世代の半導体チップの動作を実証した。ニューヨーク州サラトガの量産用工場「Fab8」において、20nm世代の標準プロセス(20nm-LPM process)とTSVプロセスを統合してSRAMを製造し、その動作を確認した。同社は今後、TSVを用いた半導体チップの3次元接続技術を、次世代のモバイル端末や民生機器向けに提供していく考えである。

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