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HOMEエレクトロニクス電子デバイス > 日立中研がSiC JFETの研究開発成果を応物で発表

日立中研がSiC JFETの研究開発成果を応物で発表

  • 根津 禎=日経エレクトロニクス
  • 2013/04/02 12:48
  • 1/1ページ
 日立製作所 中央研究所は、2013年3月27~30日に開催された「第60回 応用物理学会春季学術研究会」内のセッション「SiCパワーエレクトロニクス技術の最前線」において、同社が開発を進めるSiC JFETについて講演した。SiCのパワー・トランジスタには、JFETの他にMOSFETがある。SiC MOSFETに対するJFETの利点として、移動度が高く、オン抵抗が小さいこと、MOSFETのような酸化膜がないので、酸化膜に起因する信頼性の問題がないことを挙げた。

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