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HOMEエレクトロニクス電子デバイス > SiC基板の欠陥を抑制し、素子コストの削減を可能に

SiC基板の欠陥を抑制し、素子コストの削減を可能に

  • Mark Loboda=米Dow Corning社 Electronics Solutions, Chief Scientist - Compound Semiconductors
  • 2013/04/03 12:25
  • 1/1ページ
次世代のパワー半導体として研究開発が加速しているSiCパワー素子。同素子を製造する上で欠かせないのが、SiCウエハー(基板)である。SiCパワー素子の電気特性や歩留まり、製造コストを左右する重要な部材だ。本稿では、SiC基板の開発に取り組む、米Dow Corning社の担当者に、SiC基板開発の最新状況を紹介してもらう。(日経エレクトロニクス)
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