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HOMEエレクトロニクス電子デバイス > パナソニック、耐圧600VのGaNパワー・トランジスタをサンプル出荷開始

パナソニック、耐圧600VのGaNパワー・トランジスタをサンプル出荷開始

  • 根津 禎=日経エレクトロニクス
  • 2013/03/19 20:23
  • 1/1ページ
 パナソニックは、耐圧600VのGaNパワー・トランジスタを開発した。2013年3月からサンプル出荷する。Si基板上に製造する、いわゆる「GaN on Si(ガン オン シリコン)」の素子である。Si基板の口径は6インチ(150mm)。
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