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東芝、携帯機器の充電スイッチに向けた12V耐圧pチャネルMOSFETの品ぞろえを拡充

  • 山下 勝己=テクニカル・ライター
  • 2013/02/19 00:58
  • 1/1ページ
 東芝は、耐圧(ドレイン・ソース間電圧)が-12VのpチャネルMOSFETの品ぞろえを拡充した。今回発売したのは、実装面積が2.0mm×2.0mmのSOT-1220(UDFN6B)に封止した「SSM6J505NU」と、実装面積が1.6mm×1.6mmのSOT-563(ES6)に封止した「SSM6J216FE」である。いずれも大電流に対応したことが特徴だ。SOT-1220封止品の最大ドレイン電流は-12A、SOT-563封止品は-4.8Aである。同社によると、「携帯型電子機器の高機能化に伴い、電池容量の増加とともに、充電電流も増える傾向にある」という。
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