三菱電機は、定格電圧が1200V、定格電流が1200Aと、FA機器や昇降機、太陽光・風力発電システムなどの産業用途にも使える大容量のフルSiC（炭化ケイ素）パワー半導体モジュールを開発し、2013年2月14日に開催した同社の研究開発成果披露会で発表した。これまでも、Si製のMOSFET（金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ）とSiC製のSBD（ショットキー・バリア・ダイオード）を組み合わせたハイブリッドSiCパワー半導体モジュールでは、これを超える容量のものもあった。しかし、MOSFETもSBDもSiC製のフルSiCパワー半導体モジュールとしては、世界最大容量になるという。
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