日本インターは、GaN(窒化ガリウム)パワー半導体の前工程について、米Transphorm社と生産受託契約を締結したと発表した。日本インターのつくば事業所に前工程の製造ラインを導入する。対応するウエハーの大きさは8インチである。同社によると「8インチ・ウエハーを使ったGaNパワー半導体の量産開始は業界初」という。Si(シリコン)ウエハーを採用し、その上にGaNのエピタキシャル膜を成長させてパワー半導体を作り込む。生産するパワー半導体は、ショットキ・バリア・ダイオード(SBD)である。製造したGaNパワー半導体(SBD)は、すべてTransphorm社に納入する。
この記事は会員登録で続きをご覧いただけます
-
会員の方はこちら
ログイン -
登録するとマイページが使えます
今すぐ会員登録(無料)
日経クロステック登録会員になると…
・新着が分かるメールマガジンが届く
・キーワード登録、連載フォローが便利
さらに、有料会員に申し込むとすべての記事が読み放題に!
春割キャンペーン実施中!
>>詳しくは
日経クロステックからのお薦め
日経BP 総合研究所がお話を承ります。ESG/SDGs対応から調査、情報開示まで、お気軽にお問い合わせください。
ブランド強化、認知度向上、エンゲージメント強化、社内啓蒙、新規事業創出…。各種の戦略・施策立案をご支援します。詳細は下のリンクから。
「デジタル&ソリューション」をキーワードに、多様な事業を展開しています。
日経BPは、デジタル部門や編集職、営業職・販売職でキャリア採用を実施しています。デジタル部門では、データ活用、Webシステムの開発・運用、決済システムのエンジニアを募集中。詳細は下のリンクからご覧下さい。