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HOMEエレクトロニクスアナログ > 日本インター、GaNパワー半導体の前工程でTransphormと生産受託契約を締結

日本インター、GaNパワー半導体の前工程でTransphormと生産受託契約を締結

  • 山下 勝己=テクニカル・ライター
  • 2013/02/07 10:57
  • 1/1ページ
 日本インターは、GaN(窒化ガリウム)パワー半導体の前工程について、米Transphorm社と生産受託契約を締結したと発表した。日本インターのつくば事業所に前工程の製造ラインを導入する。対応するウエハーの大きさは8インチである。同社によると「8インチ・ウエハーを使ったGaNパワー半導体の量産開始は業界初」という。Si(シリコン)ウエハーを採用し、その上にGaNのエピタキシャル膜を成長させてパワー半導体を作り込む。生産するパワー半導体は、ショットキ・バリア・ダイオード(SBD)である。製造したGaNパワー半導体(SBD)は、すべてTransphorm社に納入する。
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