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ルネサス、オアリング用途向けに低オン抵抗の30V耐圧パワーMOSFETを発売

  • 山下 勝己=テクニカル・ライター
  • 2013/01/24 18:12
  • 1/1ページ
 ルネサス エレクトロニクスは、同社従来品に比べてオン抵抗を50%削減した+30V耐圧のパワーMOSFETを開発し、サンプル出荷を始めた。量産は2013年2月に開始する予定である。nチャネル品である。ネットワーク・サーバーやストレージ・システムの電源ユニットに使われるオアリング用途に向ける。従来、この用途にはダイオードが使われていたが、現在はパワーMOSFETと制御回路の組み合わせが一般になっている。ダイオードの順方向電圧による電力損失に比べると、パワーMOSFETのオン抵抗に依る電力損失の方が小さいからだ。ただし、電源ラインには数十~数百Aもの電流が流れるため、さらなるオン抵抗の低減が求められていた。
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